포항공과대학교 나노융합기술원

포항공과대학교 나노융합기술원

제공서비스

전력반도체 소자 단위, 일괄공정 서비스

서비스 개요

기본이미지
서비스 유형 프리미엄 서비스
서비스 설명 전력반도체 소자 단위, 일괄공정 서비스 <br/> - SiC 기반 전력반도체 단위, 소자제작 일괄공정 서비스 <br/> - GaN 기반 전력반도체 단위, 소자제작 일괄공정 서비스 <br/> - 반도체 소자 특성 분석 지원
서비스 설명 자료
분류 전기전자 > 반도체디스플레이 > 반도체
서비스 공정구분 시제품제작, 사업화
세부공정 시제품제작 : 시제품 제작 , 개발품 제작, 공정 기술 개발 사업화 : 연구 개발 및 사업화 추진, Test-bed 지원, 시제품 제작지원, 장비, 기술서비스 지원
적용제품 MOSFET, SBD, Trench MOS, HEMT 기반 전력반도체 소자
서비스 운영기관 포항공과대학교 나노융합기술원
코디네이터 담당자 ㆍ성명 : 박주철 / 책임연구원
ㆍ소속기관 : 재단법인구미전자정보기술원
ㆍ연락처 : 1533-0101(내선4), 054-479-2181
ㆍ이메일 : jcpark13@geri.re.kr
서비스 담당자 ㆍ성명 : 이상권 선임
ㆍ연락처 : 054--279--0223
ㆍ이메일 : sang200194@postech.ac.kr

서비스 상세내용

서비스공정 서비스 지원기간 서비스 설명 세부공정
1.시제품제작 1 ~ 6 개월
  • 와이드밴드갭 소재 전력반도체 단위 및 일괄공정 서비스 <br/>SiC 기반 Trench MOS 구조 공정 지원 <br/>GaN 기반 HEMT 소자 공정 지원
  • 시제품 제작
  • 개발품 제작
  • 공정 기술 개발
2.사업화 1 ~ 6 개월
  • 수요 맞춤형 시제품 제작 지원 <br/>핵심 단위공정 기술 공정 지원 및 기술 연구개발 지원 <br/>기업 요구에 따라 장비 기술 지원 서비스
  • 연구 개발 및 사업화 추진
  • Test-bed 지원
  • 시제품 제작지원
  • 장비, 기술서비스 지원
  • 서비스공정
    1.시제품제작
    서비스 지원기간
    • 1 ~ 6 개월
    서비스 설명
    • 와이드밴드갭 소재 전력반도체 단위 및 일괄공정 서비스 <br/>SiC 기반 Trench MOS 구조 공정 지원 <br/>GaN 기반 HEMT 소자 공정 지원
    세부공정
    • 시제품 제작
    • 개발품 제작
    • 공정 기술 개발
  • 서비스공정
    2.사업화
    서비스 지원기간
    • 1 ~ 6 개월
    서비스 설명
    • 수요 맞춤형 시제품 제작 지원 <br/>핵심 단위공정 기술 공정 지원 및 기술 연구개발 지원 <br/>기업 요구에 따라 장비 기술 지원 서비스
    세부공정
    • 연구 개발 및 사업화 추진
    • Test-bed 지원
    • 시제품 제작지원
    • 장비, 기술서비스 지원

공정별 지원기관