보유장비현황
- 보유장비현황
- 주입이온활성화
- High Temperature Furnace
- i-Tube No. 2410-C-0336
- NTIS No NFEC-2025-02-303572
- 설치기관 포항공과대학교산학협력단
- 주소 경북 포항시 남구 효자동 산31 포항공과대학교
- 담당자 신훈규 (T.0542790226)
- 매뉴얼
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예약가능여부(장비 예약은 Zeus 시스템에서 회원가입후 예약가능)
장비정보
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제작사
Centrotherm
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모델 명
cACTIVATOR 200
내용연수12년
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구분
주장비
용도시험
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표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 열처리장비
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취득일
2024.10.14.
취득금액₩1,970,056,151
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인증정보
없음
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기능
웨이퍼 상 도펀트 활성화를 고온 열처리
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장비 상세설명
○ 원리 및 특징 <br/><br/><br/> - 메탈 프리 디자인과 히팅시스템을 통한 2000°C 까지의 고온 열처리가 가능 <br/><br/><br/> - 8인치 대구경 (200 mm) 웨이퍼 호환
장비 사용법
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사용형태
기관의뢰
설치형태고정형
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사용료 형태
건별
장비 사용료₩450,000
장비설명
○ 8인치 일괄공정 지원을 위한 핵심공정인 이온주입공정 이후 도펀트 안정화의 필수 장비
○ 고온/고에너지 이온주입공정을 통해 잔존하는 도펀트 이온을 약 1,800도 열처리 장비
○ SiC 전력반도체 소자 제작의 핵심 공정인 도펀트 이온주입공정 후 이온활성화를 위한 공정으로 활용
장비 구성 및 성능
1) 장비 구성
- Controller Configuration
- Heat , Gas Supply
- Vacuum pump
- transport system
2) 주요 사양
- Wafer capacity : 75 wafer
- Wafer Size : 6, 8inch
- high temperature up to 2,100°C
- Ambient : H2, Ar
3) Activation in SiC
- Max. Temperature : 1,900 °C
- Max. Ramp Rate : 75K/min(700 °C – 1,500 °C )
- Fate Accuracy : ± 1°C to set/± 5°C TC ref. after 5min(1,400 °C – 1,900 °C )
- Vacuum : 1-900mbar/atmospheric pressure
- Vacuum Accuracy : ±1 mbar