보유장비현황
- 보유장비현황
- 고온 고에너지 이온주입장비
- High Temperature Ion Implantor
- i-Tube No. 2501-C-0144
- NTIS No NFEC-2025-02-303571
- 설치기관 포항공과대학교산학협력단
- 주소 경북 포항시 남구 효자동 산31 포항공과대학교
- 담당자 신훈규 (T.0542790226)
- 매뉴얼
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예약가능여부(장비 예약은 Zeus 시스템에서 회원가입후 예약가능)
장비정보
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제작사
Ulvac
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모델 명
IH-860PSIC
내용연수12년
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구분
주장비
용도시험
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표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 이온주입장비
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취득일
2025.01.15.
취득금액₩3,612,686,864
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인증정보
없음
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기능
전력반도체 소자 제작에 전기적 특성을 설정을 위한 도펀트 이온주입
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장비 상세설명
- 고온/고에너지 상태에서 웨이퍼 상에 이온주입 - 안정적인 고온 동작 특성, 높은 파괴전압, 고신뢰성 SiC 전력반도체 구현가능 - 소형 경량화 된 full SiC 전력반도체 모듈로 인해 다른 장치와의 융합이 용이
장비 사용법
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사용형태
기관의뢰
설치형태고정형
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사용료 형태
건별
장비 사용료₩700,000
장비설명
○ 8인치 전력반도체 일괄제조공정 지원을 진행을 위한 필수 장비
- 전력반도체 소자의 전기적 특성을 만들기 위해 도펀트를 이온주입공정
- SiC 전력반도체 공정시 소재의 특성(낮은 확산계수)으로 불순물 도핑이 어려움
- 고온/고에너지 이온주입법으로 와이드밴드갭 소재인 SiC내 도펀트를 주입이 가능
장비 구성 및 성능
1) 장비구성
- Source : Gas box, Source head, Extraction
- Beam line : Analyzer, Quadrupole, Acceleration, Detector, Diploe lens
- End station
- 6, 8 inch Hot chucking system
- Wafer auto transfer
2) 주요사양
- Energy : 10kev ~ 1.2keV
- Dose : 1 x 1012 ~ 1 x 1016㎠
- Temp Max. : 500℃
- Pressure : 7 x 10-5 Pa or less(Beam line)
- Uniformity(SiC) : 0.5% or lower
- Max. Beam current
. Al+ : 1㎃, N+: 0.6㎃
- Min. Beam current : 500㎚