(주)기가레인
NeoGEN-MAXIS200H
40년
주장비
시험
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2024.04.16.
₩1,522,463,600
없음
반도체 제조공정에서 반응성 기체, 이온 등을 이용해 웨이퍼의 특정 부위를 선택적으로 제거하는 장비. 식각 깊이와 속도를 정밀하게 제어할 수 있어 미세한 패턴의 구현이 가능함.
8인치 SiC/GaN 기반 전력반도체 소자 금속배선 형성시 식각공정 대구경, 정교한 패턴이 요구되는 식각공정 적용 (Size 8inch, Uniformity <5%) 와이드밴드갭 전력반도체 소자의 저저항 오믹 접촉 형성을 위한 식각공정 적용
기관의뢰
고정형
건별
[EA] ₩60,000
반도체 제조공정에서 웨이퍼 상의 금속 부분을 식각하는 장비로,
- 8인치 SiC/GaN 기반 전력반도체 소자 금속배선 형성시 식각공정
- 대구경, 정교한 패턴이 요구되는 식각공정 적용
- 와이드밴드갭 전력반도체 소자의 저저항 오믹 접촉 형성을 위한 식각공정 적용
1) 장비구성
- Process Chamber, Ashing Chamber
- Load lock, Transfer Module
- Pumping System, Gas System,
Temp Control System, Scrubber System
- Control Systems
- Size : 8 inch
2) Asher 사양
- RF generator : 400KHz, 8kW
- Chuck temperature : 250 °C
- Gas configuration : H2O, CF4, N2, O2
3) ICP etcher 사양
- Coil generator : 13.65MHz, 3kW
- Bias generator : 13.65MHz, 1.5kW
- Gas configuration : BCl3, Cl2, N2, CF4, HBr