전북나노기술집적센터

Suss Microtec

기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 리소그래픽장비

없음

○ Substrate type & Size - Glass : Max. 200x200㎟ - Wafer : Max. 8inch ○ Mask szie : 7inch or 9inch ○ Contact Mode : proximity, Soft, hard, Vacuum ○ Resolution : ≥1㎛(6inch), ≥1.5㎛(8inch) ○ Alignment Gap : 1~1000㎛ ○ Align Accuracy(양면) - Top Side Alignment(TSA) accuracy : 0.5㎛ - Back Side Alignment(BSA) accuracy : 1.0㎛ ○ Exposure lamp power : Hg 350W 이상 ○ Wavelength : 350~450㎚(UV400) ○ Exposure Optics Unit : intensity +/- 4% 이내(200x200㎜ 기준) ○ Objective : 5x, 10x (working distance 20㎜)

1. 크기 200㎜×200㎜의 유리기판 및 유연필름, 웨이퍼(8인치 이하) 기판을 이용하여 미세 회로 패턴을 형성하는 필수장비로써 감광성 소재가 코팅된 기판을 로딩한 후 특정 패턴의 마스크 정렬 및 노광을 통해 원하는 회로 패턴을 형성하는 공정장비임 2. proximity, Soft, Hard, Vacuum mode를 소재 및 해상도에 따라 선택적으로 활용함으로써 기업의 다양한 수요 대응이 가능 3. Photoresist, Poly imide, BM, Bank, Color filter 등 다양한 감광성 소재를 이용하여 디스플레이, 반도체, 센서 분야 등 다방면의 활용이 가능함 4. BSA(Back Side Alignment)를 이용하여 첨단센서 및 패키징 공정 활용 가능