전북나노기술집적센터

한국전자기술연구원

보유장비현황

장비정보

  • 제작사

    셀코스

  • 모델 명

    없음

    내용연수

    3년

  • 구분

    주장비

    용도

    시험

  • 표준 분류

    기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터

  • 취득일

    2024.12.18.

    취득금액

    ₩2,177,497,200

  • 인증정보

    없음

  • 기능

    장비의 주요사양 및 기능 - 크기 370㎜×470㎜의 유리기판 및 유연필름, 웨이퍼(16인치 이하) 기판을 이용하여 무기박막 증착 및 건식식각 공정의 자동화 수행 - 저온스퍼터(Oxide & Metal) ·산화물 및 금속 증착을 각각 분리하여 구축함으로써 교차오염에 따른 박막 내 불순물 혼입을 방지 ·저온 스퍼터의 기판온도 R.T.~150℃ 제어를 통한 유연기판 별 공정 최적화 가능 ·Swing Magnet 적용을 통한 균일도 확보 및 플라즈마에 의한 기판 손상 최소화 ·판상형이 아닌 기둥형 타겟을 이용함으로써 타겟의 사용 효율(80% 이상)을 높이고, 타겟 표면의 불순물인 Nodule 형성을 억제하여 박막 재현성 및 성능 확보 가능 - ICP- RIE ·ICP-RIE의 Bias power 조정을 통한 식각률 및 선택비 제어 가능 ·Substrate의 center & edge 위치별 식각 제어 기능을 통한 균일도 확보

  • 장비 상세설명

    크기 370㎜×470㎜의 유리기판 및 유연필름, 웨이퍼(16인치 이하) 기판을 이용하여 무기박막 증착 및 건식식각 공정의 자동화 수행 - 저온스퍼터(Oxide & Metal) ·산화물 및 금속 증착을 각각 분리하여 구축함으로써 교차오염에 따른 박막 내 불순물 혼입을 방지 ·저온 스퍼터의 기판온도 R.T.~150℃ 제어를 통한 유연기판 별 공정 최적화 가능 ·Swing Magnet 적용을 통한 균일도 확보 및 플라즈마에 의한 기판 손상 최소화 ·판상형이 아닌 기둥형 타겟을 이용함으로써 타겟의 사용 효율(80% 이상)을 높이고, 타겟 표면의 불순물인 Nodule 형성을 억제하여 박막 재현성 및 성능 확보 가능 - ICP- RIE ·ICP-RIE의 Bias power 조정을 통한 식각률 및 선택비 제어 가능 ·Substrate의 center & edge 위치별 식각 제어 기능을 통한 균일도 확보

장비 사용법

  • 사용형태

    기관의뢰

    설치형태

    고정형

  • 사용료 형태

    건별

    장비 사용료

    [EA] ₩275,000