(주)티티엘
FABStar-ICP etching system
9년
주장비
생산
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2025.10.15.
₩949,346,270
없음
히터유닛 [프로세스챔버#1_InP식각] - Top heater : 30℃~70℃ 컨트롤 - Wall heater : 30℃~70℃ 컨트롤 - Electrode heater : 30℃~200℃ 컨트롤 * He back side heating 장착으로 압력 및 유량 컨트롤 가능) [프로세스챔버#2_SiO2/SiNx식각] - Top heater : 30℃~70℃ 컨트롤 - Wall heater : 30℃~70℃ 컨트롤
펌프유닛에는 아래의 구성이 포함 - 프로세스챔버#1, #2는 터보펌프 + 드라이펌프 각각 구성 - 로드락챔버는 오일로터리펌프 또는 드라이펌프로 구성 ※ 터보펌프는 별도 컨트롤러 구성 및 드라이펌프는 키패드 장착 ○ 제너레이터유닛에는 아래의 구성 - Bias RF generator : 1000w이상. 13.56MHz - ICP RF generator : 3kw이상, 2MHz - Matching box : 디지털타입
직접사용
고정형
시간별
[Hr] ₩150,000
플라즈마를 이용하여 InP, SiO2/SiNx 감광제(미세식각)물질을
식각하는 장비로서 다음과 같은 항목으로 구성
1) 프로세스챔버 2ea와 별도의 로드락챔버로 구성
2) 프로세스챔버#1은 InP식각용, 프로세스챔버#2는 SiO2/SiNx식각용으로,
개별 프로세스챔버 식각이 가능
플라즈마를 이용하여 InP, SiO2/SiNx 감광제(미세식각)물질을
식각하는 장비로서 다음과 같은 항목으로 구성
1) 프로세스챔버 2ea와 별도의 로드락챔버로 구성
2) 프로세스챔버#1은 InP식각용, 프로세스챔버#2는 SiO2/SiNx식각용으로,
개별 프로세스챔버 식각이 가능하여야 하고, 또한 동시에 식각이 가능