(주)티티엘
FABstar RIE
12년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2019.12.18.
₩247,500,000
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
₩138,000
본 장비는 플라즈마를 이용하여 SiO2, SiNx 물질을 식각하는 장비로서 다음과 같은 항목이 가능해야 한다.
1) 챔버구성은 로드락챔버, 메인챔버로 구성
2) 트랜스퍼 모듈 및 공정진행 매뉴얼 및 자동 제어
- 자동제어범위 : 로드락에 트레이를 장착후 동작버튼을 누르면 펌핑,
로딩, 레시피작동, 언로딩이 가능해야 함
3) 진공펌프(로드락챔버는 터보펌프 + 스크롤펌프, 메인챔버는 터보펌프 +오일로터리펌프) 및 Throttle밸브를 이용한 진공도 제어
4) RF제너레이터와 매칭박스 탑재
5) 플라즈마방법을 이용한 SiO2, SiNx 식각
6) 공정가스 (SF6, Ar, CH4, CF4, N2)유량 제어
○ 적용가능 기판크기 : 2인치 ~ 8인치
○ SiO2식각(8인치 웨이퍼 기준)
- 균일도(Uniformity) : 4% 이내
- 식각률(Etch rate) : 100nm/min 이상
○ SiN식각(8인치 웨이퍼 기준)
- 균일도(Uniformity) : 4% 이내
- 식각률(Etch rate) : 100nm/min 이상
○ MFC유닛
- 메인챔버
· SF6 : full range(1,000sccm) → 라인 히팅선 장착
· CH4 : full range(200sccm)
· Ar : full range(200sccm)
· CF4 : full range(200sccm)
· N2 : full range(1,000sccm)