보유장비현황
- 보유장비현황
- 플라즈마 표면 처리용 진공시스템
- Plasma Ion Source Vacuum Chamber
- i-Tube No. 1506-C-0352
- NTIS No NFEC-2015-06-203396
- 설치기관 한국화학연구원
- 주소 대전시 유성구 장동 100
- 담당자 이상진 (T.0428607001)
- 매뉴얼
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예약가능여부(장비 예약은 Zeus 시스템에서 회원가입후 예약가능)
장비정보
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제작사
참트론
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모델 명
개발장비
내용연수5년
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구분
부대장비(부가장치)
용도생산
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표준 분류
기계가공·시험장비 > 성형/가공장비 > 표면가공기 (주장비: NPN0000624)
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취득일
2015.06.22.
취득금액₩74,800,000
- 인증정보
- 기능
- 장비 상세설명
장비 사용법
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사용형태
기관의뢰
설치형태고정형
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사용료 형태
일별
장비 사용료₩500,000
장비설명
-클러스터 증착장비에 부착하여 유기증착기 및 스퍼터 시스템과 연계하여 시료의 표면을 플라즈마로 처리 가능
- 고진공 상태에서 Ar, O2, N2 등의 가스를 이온화하여 표면 개질
- Linear Ion Source를 사용하여 플라즈마 이온 처리
장비 구성 및 성능
1) 챔버재질 : SUS304 / View port 1ea 이상.
2) 전면 Door : View port & shutter
3) 기판 & 마스크 정렬 정밀도: ≤300um
4) Substrate : Substrate <-> Transfer Chamber의 Vacuum Robot 반송 가능.
5) 플라즈마 소스 TS 조정 및 Position Setting.
6) MFC Gas Line 설치.
7) 기판 회전 속도 : ~20 rpm
8) 진 공 도 : 5 × 10-7 torr 이하
9) 진공 측정 : 챔버부 : Full range 게이지: ATM~5*10-10 mbar
배기라인 : convection 게이지
10) Shutter: 박막 두께 조절을 위한 기판 shutter 장착