0 이온빔을 이용하여 기계부품소재 표면을 정밀 연마하는 데 사용됨
- Ion gun, stage 등의 부품이 경사, 회전되어 작동하므로 시료 표면을 매우 균일하게 연마할 수 있음, 이온빔에 의한 표면 얼룩 발생이 없음
○ Ion Source - Dual ion Gun, Milling angle ; +10도 - -10도,
Beam Energy ; 100eV - 6.0keV, Milling rate ; 〉140㎛/hr,
Cut width ; 0.5 - 1.5 mm (넓은 분석 범위 확보 가능)
○ Sample Handling - Sample size ; 10X10X4mm3, Stage
rotating ; 60도 (Sector milling 가능)
○ Sample Cooling - Min. Temp ; -120℃ (LN2 cold stage)
(냉각에 의한 시료 Heat damage 방지)
○ Imaging System - 100x - 2500x (연마상황 실시간 모니터링)
○ Vacuum System - Main pump ; 70L/sec Turbomolecular
pump, Operating pressure ; 5x10-5 Torr
○ Gas - Argon, Pressure ; 25psi
0 기존 기계적 가공으로 어려웠던 취성, 연성, 다공성, 복합, 다층코팅소재 연마에 적합
- SEM, EPMA, EDS, SIMS, XPS 등의 분석에 활용됨
- 반도체 패턴 초정밀 연마
- 플라즈마 스프레이 코팅, 하드 아노다이징 코팅 등 다공성 세라믹 피막 가공
- 금속, 세라믹, 폴리머 복합 소재 단면 미세 가공 등