(1) 본 시스템은 박막 패시베이션 특성평가를 위한 전처리 장비로서 Si3N4, SiO2, Al2O3, Zn(O, H)S 등의 박막소재를 진공중에 증착할 수 있는 있도록 구성되어 있으며, 기본 전처리 방법으로는 PECVD 및 ALD공정법을 활용하여야 한다. (2) 기판사이즈는 4inch size 의 Si Wafer 및 50mm X 50mm size 의 Glass 가 호환되도록 구성이 되어져야 한다. (3) ALD 공정챔버는 Al2O3, Zn(O, H)S를 증착시키기 위한 Gas 주입 및 금속-유기물(Metal organic) Source 가 장착 되어 있어야 하며 PECVD 는 패시베이션 박막을 형성하기위해 SiO2 및 Si3N4를 증착하기 위한 Process Gas 를 Plasma 로 분해하여 패시베이션 박막소재를 만들어야 한다. (4) 기본적으로 SiO2 는 유연성기판에 박막태양전지를 구현할 때 유연성기판의 불순물(Fe, Ni 등)의 확산을 방지하기 위한 용도로 활용되며, 동시에 굴절률 조정을 통하여 무반사 코팅도 가능하여야 한다. (5) Si3N4는 박막 패시베이션 소재 또는 박막태양전지의 무반사코팅막으로서의 역할을 수행하기 위한 용도로 활용된다. (6) Al2O3의 경우, n형 실리콘 기판의 표면 패시베이션을 위한 용도로 활용되며, Zn(O, H)S는 CIGS박막태양전지의 버퍼층 소재로서 패시베이션 및 흡수층과의 접합매칭을 위한 용도로 활용된다. (7) 시스템은 PLC 및 PC 를 이용한 자동공정으로 구성이 되어야 하며, 공정 Factor (Power, Pressure, Flow rate, Heater Temp. 등)가 실시간으로 Display 되어야 하며, 자동 저장이 되어야 한다. (8) 본 사항에 요청되는 PECVD 및 ALD 챔버는 기구축된 Cluster Chamber(Load-lock, Transfer modue 등)과 반드시 연동되어야 하며, Cluster Chamber 에 있는 Robot Arm 을 이용하여 기판을 자동으로 이송하며 모든 공정사항은 Auto Process 로 진행되어야 함과 물론 기구축된 스퍼터링 시스템과의 연동성도 확보되어야 한다.