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SICETCH
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2013-05-30
85,000,000원
원
8"(200mm) 크기의 Si 웨이퍼를 플라즈마 에칭할 수 있는 장비이며,
표면 에칭하고자하는 세라믹 샘플을 Si 웨이퍼 위에 부착하여 플라즈마 에칭할 수 있음.
플라즈마 파워가 ~900W까지 조절이 가능하고, MFC를 통하여 반응가스의 flow 양 조절 가능
1. Plasma source: ACP source
2. RF generator : 13.56MHz, 2.8KW
3. Chuck type : Ceramic ESC
4. Process gases/MFC's : N2, CF4, O2, Ar, C4F8
5. Pump : Dry pump+TMP
6. Process chamber cooling type : He cooling
7. Chiller : HX-150(temp. 15C)
1. 산화물 및 비산화물 세라믹스 샘플의 표면 플라즈마 에칭
2. 세라믹 재료의 플라즈마 etching rate 평가
3. 반도체 장비용 세라믹스의 플라즈마 저항성 및 life time 평가