다산엔지니어링
DSVPE-2000
4년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2013-05-30
493,405,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
163,910원
화합물반도체인 GaN, AlN, AlGaN의 단결정 성장이 가능한 시스템으로 Furnace는
Source zone과 Growth zone의 6구역으로 나뉜다. Source zone은 Ga, Al금속과 HCl의
반응을 통해 GaCl, AlCl3 등의 반응을 유지하기 위하여 저항가열을 사용하였으며,
Growth zone은 MoSi heater를 사용하여 1350℃까지 온도조절을 하여 NH3와 GaCl,
AlCl3 와의 반응을 통해 GaN, AlN, AlGaN을 성장 시킬수 있다. 로 내부는 모두 쿼츠를
사용하여 고온과 반응가스의 변화가 없도록 설계 되었다. 또한 Local heating block을
설치하여 1350℃까지 온도를 제어하여 AlN, AlGaN의 반응이 원활하도록 구현하였다.
- 구성
HVPE Main body, Furnace(6zone), Source flange, Loading flange, Control rack,
Gas purifier, Gas cabinet, Wet scrubber, Chiller
- 성능(사용방법)
Furnace source zone(Kanthal A1 900℃), growth zone(MoSi 1000℃)
Local heating block(Mulite, MoSi 1350℃), Quartz(Main tube, Growth tube, gas
holder, gas line tube), Control rack(PID 온도 콘트롤러, 전압/전류 게이지,
thermocouple), 유량제어(MFC연동제어), 유틸리티(Purifier, Cabinet, Scrubber, chiller)