Tempress
TS81254
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2013-02-22
957,365,760원
원
태양전지의 빛흡수율을 높이기 위한 방안으로 비반사 방지막을 형성하는 장비로 본 장비를 통해 PECVD 증착 공정, P-type 도핑 프로세스, N-type 도핑 프로세스, 옥사이드 형성 프로세스를 진행 할 수 있는 4개의 챔버로 구성된 공정 장비임.
1. Temperature flat accuracy
- 350-600°C: ±1.0°C
- 600-1200 °C: ±0.5°C
2.Control system
- User interface CMI
- Furnace control system
- Processcomputer CESAR
- Security systems CMS
1) Stack 4 (top):
- Process: Dry-/Wet Oxidation
- Heater temperature: 600 - 1300°C
- Process temperature: 900 - 1000°C
- Process tube : quartz
- Loading system: centrotherm Softlanding (SIC)
- Tube closure type: closed tube system
- Thermocouple (spike)
* Type S(Pt-PtRh 10%)
* Accuracy 0.1%
- Thermocouple (profile)
* Type S(Pt-PtRh 10%)
* Accuracy 0.1%
2. Stack 3:
- Process:PECVD Silicon nitride
- Heater temperature:200 - 600°C
- Process temperature:350°C
- Process tube:quartz
- Loading system:centrotherm Softlanding (SiC)
- Tube closure type:vacuum door
- Thermocouple (spike)
- Thermocouple (profile)
3. Stack 2:
- Process:P-Diffusion (Solid Source, POCl3)
- Heater temperature: 600 - 1300°C
- Process temperature:850 - 1050°C
- Process tube:quartz
- Loading system:centrotherm Softlanding (SiC)
- Tube closure type:closed tube system
- Thermocouple (spike)
- Thermocouple (profile)
4. Stack 1 (bottom):
- Process:B-Diffusion (Solid Source, BBr3)
- Heater temperature:600 - 1300°C
- Process temperature:850 - 1050°C
- Process tube:quartz
- Loading system:centrotherm Softlanding (SiC)
- Tube closure type:closed tube system
- Thermocouple (spike)
- Thermocouple (profile)
1) 태양전지의 빛흡수율을 높이기 위해 비반사 방지막(SiO2, SiN)을 형성
2) P-type 도핑 프로세스
3) N-type 도핑 프로세스
4) 열처리 공정을 통한 옥사이드 형성 공정
1. Stack 1 : Boron Diffusion
2. Stack 2 : Phosphorous Diffusion
3. Stack 3 : Oxidation
4. Stack 4 : PECVD Nitride deposition