제이몬
모델명없음
10년
주장비
시험
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2013-06-05
65,000,000원
직접사용
이동형
건별
0원
1. 투면전극 증착장비는 화합물 반도체 태양전지 (CIGS, CZTS 등) 제작과 공정 교육용으로 활용하는 장치임. 결정질 실리콘과 달리 반도체 기반의 소재를 직접 활용하는 것이 아니라 화합물 박막태양전지 반도체 층을 형성하기 위하여 금속 원소 (Cu, In, Ga, Se, Sn, Zn, Ti 등)을 조합하여 박막 성장을 하고 후열처리 공정을 거쳐 반도체 변환을 하거나 투명 전도막 등을 형성하게 되는 데, 이 때 이 금속 전구체 박막을 형성하는 장치로 활용함.
1. 이 장치의 구성은 다중 금속 (혹은 유전체)소재를 층상 구조로 성막 증착하여 전구체 박막을 형성하게 되는 것이 기본임. 따라서 이를 달성하기 위하여 2개의 DC 스퍼터 건과 1개의 RF 스퍼터 건으로 구성하였으며, 임의의 기판위에 박막을 적층하기 위하여 기판 테이블이 상부에 위치하여 세 스퍼터 건 위를 이동하면서 성막할 수 있도록 구성하였음. 기판의 크기는 최대 5 cm x 5 cm 까지 가능함.
1. CIGS의 경우 CuGa, CuIn (혹은 In)을 순차적으로 증착함으로서 n(CuGa/In)의 적층 구조를 갖을 수 있으며, 이 적층 금속 전구체로부터 Se/S 열처리 과정을 거쳐 CIGS를 형성할 수 있음. 한편, Zn(Mg)O의 박막을 RF 스퍼터에 장착할 경우, 외부에서 산소를 주입하면서 박막의 밴드갭 에너지가 변형된 기능성 투명 전도막을 형성할 수 있음.
1. 투면전극 증착장비는 화합물 반도체 태양전지 (CIGS, CZTS 등) 제작과 공정 교육용으로 활용하는 장치임. 결정질 실리콘과 달리 반도체 기반의 소재를 직접 활용하는 것이 아니라 화합물 박막태양전지 반도체 층을 형성하기 위하여 금속 원소 (Cu, In, Ga, Se, Sn, Zn, Ti 등)을 조합하여 박막 성장을 하고 후열처리 공정을 거쳐 반도체 변환을 하거나 투명 전도막 등을 형성하게 되는 데, 이 때 이 금속 전구체 박막을 형성하는 장치로 활용함.
1. 이 장치의 구성은 다중 금속 (혹은 유전체)소재를 층상 구조로 성막 증착하여 전구체 박막을 형성하게 되는 것이 기본임. 따라서 이를 달성하기 위하여 2개의 DC 스퍼터 건과 1개의 RF 스퍼터 건으로 구성하였으며, 임의의 기판위에 박막을 적층하기 위하여 기판 테이블이 상부에 위치하여 세 스퍼터 건 위를 이동하면서 성막할 수 있도록 구성하였음. 기판의 크기는 최대 5 cm x 5 cm 까지 가능함.
1. CIGS의 경우 CuGa, CuIn (혹은 In)을 순차적으로 증착함으로서 n(CuGa/In)의 적층 구조를 갖을 수 있으며, 이 적층 금속 전구체로부터 Se/S 열처리 과정을 거쳐 CIGS를 형성할 수 있음. 한편, Zn(Mg)O의 박막을 RF 스퍼터에 장착할 경우, 외부에서 산소를 주입하면서 박막의 밴드갭 에너지가 변형된 기능성 투명 전도막을 형성할 수 있음.