Takeuchi
TA-LPE1
7년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2014-07-17
325,150,000원
고정형
기타
0원
*장비설명
전력반도체용 기판 및 LD/LED 광전소자용 기판으로 응용될 수 있는 SiC 단결정을 성장시키기 위한 장비로서 종래 널리 상용화되어 사용되는 PVT법(승화재결정법)에 의한 단결정과는 달리 Si 융액에서 고품질의 SiC 단결정을 성장시키는 장비
-구성 및 성능
○ Description : Puller to grow non-oxide single crystal (eg. SiC)
○ Capability to grow SiC single crystal with >= 50mm diameter
○ Upper side(Seed) / Lower side(Crucible) rotation feature
○ Accelerated crucible rotation technique (ACRT) feature
○ RF induction heating system : 동작온도 < ~2400oC