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TLP 정전기 시험 시스템은 반도체 및 전자부품의 정전기 방전(ESD) 내성을 평가하고, ESD 보호회로 설계를 최적화하기 위한 장비이다. 고전압·고전류 펄스를 인가하여 소자의 동적 전압-전류 특성과 파괴 특성을 정량적으로 분석하는 데 활용된다.

지원 파형 : TLP, VF-TLP, HMM, 구형파(Rectangular Waveform)
상승시간(Rise Time): 0.1, 0.3, 0.6, 1, 5, 10 ns, 0.1 ns 조건에서는 최대 40 A까지 지원
펄스 폭(Pulse Width): 1, 2.5, 5, 10, 25, 50, 75, 100 ns, 출력 전압 범위
펄스 폭 100 ns 조건: −6 kV ~ +6 kV 선형 출력
펄스 폭 10 ns 미만 조건: −4 kV ~ +4 kV 선형 출력
최소 전압 설정 간격 : 0.1 V
임피던스 : 50 Ω 임피던스 정합
출력 파형 :구형파(Rectangular Waveform)
외부 케이블 및 전류 출력 : 40 A, 100 ns 조건 지원, 최대 120 A, 반복 주파수 10 Hz 지원
HMM 시험 전압 : 최대 32 kV

TLP(Transmission Line Pulse) 정전기 시험장비는 반도체 및 전자부품에 고전압·고전류의 단펄스를 인가하여 정전기 방전(ESD)과 전기적 과부하(EOS)에 대한 내성을 평가하는 장비이다. 실제 과도 전기 스트레스와 유사한 조건에서 소자의 동적 전압·전류 응답과 파괴 거동을 측정할 수 있어, 정적 측정만으로 확인하기 어려운 고전압·고전류 영역의 특성을 정량적으로 분석하는 데 활용된다.
TLP 시험을 통해 트리거 전압, 클램핑 전압, 전류 임계점, 누설전류 변화, 2차 항복전류 및 전력 소산 특성 등을 평가할 수 있다. 측정 결과는 ESD 보호소자의 정격 선정, 보호회로 설계 최적화, 공정 및 소자 구조 비교, 고장 원인 분석과 신뢰성 검증에 활용된다.
또한 펄스 상승시간과 펄스 폭을 가변 제어할 수 있어 TLP, VF-TLP 등 다양한 과도 스트레스 조건을 구현하고, HBM·CDM 관련 소자 응답을 비교·분석할 수 있다. IEC 60060-1, IEC 61180-2, IEC 60747 계열 및 MIL-STD-883 Method 3015 관련 검증 및 평가가 가능한 장비임