i-Tube

장비정보

제작사
코셈
모델 명
IP-8K

내용연수
10년
구분
주장비

용도
분석
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2026-08-26

취득금액
95,700,000원
인증정보
없음
기능
- 아르곤 이온빔을 이용한 시료 단면 정밀 가공
- 넓은 면적 평면 식각 기능 지원
- 이온빔 On/Off 자동 제어를 통한 열손상 최소화
- 실시간 가공 상태 모니터링
- 자주 쓰는 가공 조건(레시피) 저장 및 자동 실행
장비 상세설명
본 장비는 이온건 전압 2~8 kV에서 아르곤 이온빔을 이용해 시료의 단면 및 평면을 기계적 손상 없이 가공함. 최대 시료 사이즈는 20×10×5 mm이며, X축(±3.5 mm), Y축(±2 mm) 스테이지 이동과 ±35도 스윙 각도 조절이 가능하여 다양한 형태의 시료 가공에 대응이 가능함. 진공 시스템 및 광학 관찰 시스템(x5, x10, x20, x40)을 갖추고 있어 가공 상태를 실시간으로 확인하며 정밀 제어가 가능함.

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
[EA] 100,000원

장비설명

이온밀링폴리셔는 기계적 연마 방식과 달리 이온 식각(Etching) 원리를 이용해 시료 표면에 물리적 손상을 주지 않고 가공하는 장비임. 신뢰성 평가 과정에서 확보한 SiC MOSFET 등 전력반도체 소자의 단면을 정밀하게 노출시켜 SEM 관찰 및 EDS 성분 분석에 적합한 시료를 제작하는 데 활용됨. 기존 폴리싱 공정 대비 표면 스크래치와 결정 구조 손상을 최소화할 수 있어, 접합부나 본딩와이어 등 미세 구조의 고장 분석 신뢰도를 높이는 역할을 함.

장비 구성 및 성능

1) 이온 밀링 폴리셔 본체
- Accelerating Voltage : 2 to 8kV
- Milling Speed(Cross section milling) : 700 ㎛ (at 8kV on Si wafer)
- Specimen size : 20mm(W) x 10mm(L) x 5.5mm(T), 16mm(W) x 10mm(D) x 9.5mm(H)
- Specimen movement range : X-axis(±3.5mm), Y-axis(±2mm)
- Swing angle : ±35°
- 4 Step Swing : Mode 1,2,3,4
- 30um, 50um, 80um Sample Height Alignment Jig
- Automatic Specimen swing function
- Intermittent irradiation mode
- 7inch Touch screen operation
- Milling position check by CCD camera
- Gas for Ion : Argon gas(99.999%)
- Gas Pressure : 0.1Mpa(14.5psi)
- Automation : Beam On/Off mode, Step by step mode

2) 진공시스템
- Turbo-Molecular Pumping Speed 66 l/s for N₂
- Diaphragm Pumping Speed 1.4 m³/h
- Absolutely Oil-Free
- Pumping of Dry and Noncorrosive Gases

3) High Magnification CCD Camera for realtime Monitoring
- Magnification : x5, x10, x20, x40
- 4 Step Brightness Control
- 5M Pixel CMOS
- Ion Beam Observation Mode

e-Tube 로그인

장비 매뉴얼