National Instruments
Dynamic Reverse Bias tester
10년
주장비
시험
전기/전자장비 > 측정시험장비 > 광/LED/반도체/디스플레이측정시험장비
공동활용서비스
2026-09-17
482,657,740원
없음
본 장비는 최대 80개의 DUT를 동시에 평가할 수 있는 대용량 병렬 구조를 기반으로, -40 °C ~ +180 °C의 넓은 온도 범위와 10 % ~ 98 % RH의 습도 환경을 안정적으로 제어 및 제공하는 동적 역방향 바이어스(DRB) 시험장비이다.
드레인 측 15 V ~ 1500 VDC의 고전압 및 최대 0.30 A(측정 범위 0 ~ 1 mA)의 전류 측정 환경을 지원하며, 75 pA의 해상도와 ±400 nA의 정확도를 바탕으로 미세 누설 전류를 정밀하게 측정한다. 또한 -5 V ~ 20 VDC 범위(해상도 20 mV, 정확도 ±200 mV)의 게이트 전압과 ±10 mA 범위(해상도 500 nA, 정확도 ±10 μA)의 게이트 전류 제어를 통해 다양하고 유연한 바이어스 조건을 제공한다.
채널 간 2 kV의 절연 내압 성능을 갖추어 높은 전기적 안정성을 확보하였으며, 스트레스 단계(65 mA ±20 %, DUT별 고속 하드웨어 기반) 및 리드아웃 단계(650 μA ±20 %)에서 수행되는 과전류 보호 기능을 통해 불량 발생 시 해당 DUT를 자동으로 차단한다. 아울러 테스트 챔버 외부 안전 잠금장치와의 소프트웨어 연동, 고전압(HV) 플러그 연결부 전압 감시, 고전압 전원 공급 장치의 안전 해제 기능 등 다중 안전 인터락 시스템을 구비하여 가혹 조건 시험 시 높은 안전성을 보장하는 장비이다.
본 장비는 최대 80개의 DUT를 동시에 평가할 수 있는 대용량 병렬 검사 시스템으로, 자동차용 전력반도체 신뢰성 표준인 AQG 324(Annex III) 규격을 충족하는 25 °C 시험 온도 환경을 안정적으로 제공하는 동적 역방향 바이어스(DRB) 및 동적 스위칭 검사장비이다.
다이오드를 포함한 개별 전력소자를 대상으로 GUI 소프트웨어를 통해 유연한 자극 조건을 설정할 수 있으며, 능동 자극 시 -10 V ~ +30 V 범위의 게이트 전압 제어와 수동 자극 시 최대 +1500 V의 전압 및 0 ~ 500 kHz의 주파수 대역을 지원한다. 특히 TO-247 패키지 기준 AQG 324 규격에 부합하도록 Turn-on 시 50 V/ns 이하, Turn-off 시 50 V/ns 이상의 높은 드레인-소스 전압 상승률($dV/dt$) 조건을 DUT 단자 기준에서 정밀하게 구현하며, 각 DUT별로 ±0.5 V 오차 범위 내의 능동 전압 제어가 가능하다.
DRB 측정 시에는 500 µA 범위(해상도 2 nA, 정확도 ±1.25 µA) 및 25 µA 범위(해상도 100 pA, 정확도 ±62.5 nA)의 듀얼 레인지 기반 인시투(In-situ) 누설 전류 측정 기능을 제공하여 동적 스트레스에 따른 미세 열화 특성을 실시간 추적한다. 채널 간 2 kV의 절연 내압 성능과 함께 스트레스 단계(65 mA ±20 %, DUT별 고속 하드웨어 차단) 및 리드아웃 단계(650 µA ±20 %)의 과전류 보호 자동 차단 구조를 갖추어 불량 발생 시 타 채널로의 연쇄 영향을 방지한다. 아울러 고전압 플러그 연결부 전압 감시 및 고전압 전원 공급 장치의 안전 해제 기능 등 다중 인터락 시스템을 포함하여, 평가 프레임 1세트와 측정 시스템부 1세트로 구성된 통합 고신뢰성 검증 인프라이다.
기관의뢰
고정형
기타
[EA] 60,000원
본 장비는 최대 80개의 DUT를 동시 평가할 수 있는 대용량 병렬 검사 인프라로, 25 °C 시험 온도 환경에서 최대 1500 V의 고전압과 500 kHz 수준의 고주파 스위칭 조건 및 고전압 상승률($dV/dge text{ V/ns}$)의 동적 역방향 바이어스(DRB) 스트레스를 안정적으로 인가합니다. 이를 통해 자동차용 전력반도체 표준인 AQG 324 규격 기반의 가혹 동작 환경을 정밀하게 모사합니다.
시험 중에는 듀얼 레인지 기반의 나노암페어(nA) 및 피코암페어(pA)급 고해상도 인시투(In-situ) 누설 전류 측정 기능을 활용하여 실시간 소자 열화 상태와 접합부 누설 특성을 추적·분석합니다. 또한 채널 간 2 kV 절연 내압 및 고속 하드웨어 기반 과전류 자동 차단 시스템을 탑재하여 개별 소자 파손 시에도 안전하고 정밀한 평가가 가능합니다. 본 인프라는 고전압·고주파 스위칭 조건에서의 한계 특성 및 신뢰성을 정량적으로 분석하여, 에피 성장 및 외곽 종단 구조(JTE, 가드링 등) 공정 단계를 개선하고 전력반도체 완제품의 품질 및 내구성을 향상시키는 핵심 역할을 수행합니다.
- 최대 실험 DUT 수 : 80ch DUT platform
- 소자 온도 가열 방식 : 소자 내부 전기적 자가 발열과 팬을 이용한 직접 공냉 방식
- 실시간 모니터링 : 누설전류 100pA
- Vgs 최소 인가 단위 : 0.1V
- 고전압 스트레스로 소자 내부 온도 상승, 실환경 조건 모사
- Open frame Type 적용 : 안정적 온도 제어 및 Fan 공냉 방식으로 DUT 온도 균일하게 유지
- 전압 제어 오차 : ±0.5 V (각 DUT 별 능동 제어)