National Instruments
Dynamic Gate Stress Tester
10년
주장비
시험
전기/전자장비 > 측정시험장비 > 광/LED/반도체/디스플레이측정시험장비
공동활용서비스
2026-09-17
482,547,360원
없음
DGS 반도체 검사기는 최대 80개의 DUT 수량을 지원하며, -40 °C ~ +180 °C의 온도 범위와 10 ~ 98% RH의 습도 범위에서 동작하는 장비이다. 전기적 측정 측면에서는 15V DC ~ 1500VDC의 전압 측정 범위와 최대 0.30 A 및 0 ~ 1 mA의 전류 측정 범위를 제공하며, 전류 측정 정밀도는 해상도 75 pA, 정확도 ±400 nA이다. 또한 -5V~20 VDC의 게이트 전압 범위(해상도 20 mV, 정확도 ±200 mV)와 ±10 mA의 게이트 전류 범위(해상도 500 nA, 정확도 ±10 μA)를 지원하는 장비이다. 채널 간 절연 내압은 2 kV에 달하며, 스트레스 단계(65mA ±20%)와 리드아웃 단계(650 μA ±20%)에서 DUT를 자동 차단하는 과전류 보호 기능이 탑재되어 있다. 아울러 테스트 챔버 외부 안전 잠금장치와의 소프트웨어 연동 및 고전압(HV) 플러그 연결부의 전압 감시 기능을 갖춘 안전 장비이다.
DGS 반도체 검사기는 최대 80개의 DUT 수량을 지원하며, 20 °C ~ 200 °C 범위의 핫/콜드 플레이트를 통해 시험 온도를 안정적으로 지원하는 장비이다. GUI 기반 소프트웨어를 통해 V+ (0 V ~ 30 V), V- (-30 V ~ 0 V)의 전압 범위, 0 Ω부터 10 Ω까지의 게이트 저항값, 최대 1 V/ns의 전압 상승률(dV/dt), 20% ~ 80% 범위의 듀티 사이클, 그리고 50 kHz 이상의 주파수로 구성되는 유연한 게이트 자극 조건을 제공하며, 불량 DUT 발생 시 개별 비활성화를 통해 다른 DUT에 영향을 주지 않는 구조를 갖추고 있다. 또한 최소 10초 간격의 Vth(up) 및 Vth(down) 자동 in-situ 게이트 임계 전압 측정과 DGS 측정 시 실시간 RDS(On) 측정을 지원한다. 동적 테스트 출력 스테이지는 최대 30V의 드레인 전압과 0Hz ~ 50kHz의 출력 주파수, 20% ~ 80%의 듀티 사이클을 지원하며, Drawer Type 구조를 채택하여 DUT 장착 및 분리 시 작업 접근성이 향상되어 있다. 본 시스템의 전원은 3P+N+PE, 400V, 50 Hz 규격으로 구동된다.
기관의뢰
고정형
기타
[EA] 60,000원
본 동적 게이트 스트레스(Dynamic Gate Stress, DGS) 검사기는 차세대 전력반도체(SiC/GaN)의 게이트 신뢰성 평가와 성능 분석을 위해 구축된 핵심 검증 인프라입니다. 본 시스템은 20 °C ~ 200 °C 범위의 정밀한 온도 제어가 가능한 핫/콜드 플레이트 환경에서 최대 80개의 DUT를 동시에 평가할 수 있어 고신뢰성 데이터를 신속하게 확보합니다. 특히 GUI 기반의 유연한 게이트 자극 조건(V+ 0~30V, V- -30~0V, 최대 1V/ns의 dV/dt, 50kHz 이상 주파수)과 Drawer Type 구조, 개별 불량 DUT 차단 기능을 갖추어 가혹한 동적 환경에서도 높은 시험 안정성과 작업 편의성을 제공합니다.
또한 최소 10초 간격의 in-situ Vth 측정과 실시간 RDS(On) 추적 기능을 통해 동적 스트레스에 따른 문턱전압 이동 및 소자 열화 메커니즘을 정밀하게 분석할 수 있습니다. 이러한 정밀 측정 데이터는 이온 주입, 게이트 옥사이드 등 주요 단위 공정과 소자 구조 개선에 정량적 피드백을 제공함으로써 전력반도체의 제품 완결성 및 품질 향상에 기여합니다.
- 최대 실험 DUT 수 : 80ch DUT
- 소자 온도 가열 방식 : 핫/콜드 플레이트 적용
- 실시간 모니터링 파라미터(Resolution) : 1.5mV
- Vgs 최소 인가 단위 : 0.1V
- DGS 측정 시 in-situ RDS(On) 측정 지원
- Drawer Type 적용(DUT 장착 및 분리 편의성)
-> 정적 스트레스_80ch DUT
- 온도 범위 : -40 °C~+180 °C
- 전압 측정 범위 : 15V DC ~ 1500VDC
- 전류 측정 범위 : 최대 0.30 A, 0~1mA
- 전류 정밀도 : 해상도 75pA, 정확도 ±400nA
- 게이트 전압 범위 : -5V~20VDC, 해상도 20mV, 정확도±200mV
- 채널 간 절연 내압 : 2kV