Nippon Scientific Co., Ltd.
ES403
9년
주장비
분석
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
공동활용서비스
2026-10-26
225,500,000원
없음
○ 미래차 전장부품 설계 후 제작되는 샘플 웨이퍼와 SiC, Si 기반 반도체 샘플의 내부 배선 검증에 사용됨. 또한, PKG 형태로 제작된 소자의 고장분석 용도로도 활용되어, 반도체 신뢰성 평가에 중요한 역할을 수행하는 장비이다.
○ 미래차 전장부품 설계 후 제작되는 샘플 웨이퍼와 SiC, Si 기반 반도체 샘플의 내부 배선 검증에 사용됨. 또한, PKG 형태로 제작된 소자의 고장분석 용도로도 활용되어, 반도체 신뢰성 평가에 중요한 역할을 수행하는 장비
기관의뢰
고정형
건별
[EA] 150,000원
○ 반도체 설계-제작 후 제작된 샘플의 검증이나 고장난 소자의 분석에서는 de-layer 공정이 반드시 수행되어야 함 설계 대비 배선의 형태뿐만 아니라 절연층 두께에 이르기까지 정확한 검증을 위해 전문 장비가 필요하고 이러한 반도체 설계 분석 장비는 설계 개선 단계에서 필수적으로 요구되며, 관련 기업이 신뢰성 높은 제품을 생산하기 위한 설계 데이터베이스 구축에 핵심적인 역할
○ 반도체 이온반응식각장비 주요사양
1. 시스템 크기
- 766(W) x 766(D) x 1015(H)
2. 시스템 spec
- RF-Power : 50W ~ 500W , 13.56 ㎒
- 병렬 플레이트 플라즈마 적용
- 스테이지 크기 : 230 ㎜ (8인치 이상)
- 매칭 및 가스 컨트롤 : 자동 컨트롤
- 공정 압력 : 5 ~ 80 ㎩
- 공정 가스 : 3MFCs 이상 (CF4,O2,AR,N2)
- 온도 조정 : 펠티어 소자를 이용한 수냉식
- 에칭 범위 : 0 ~99 min 59 sec
- Recipe 저장 범위 : 96
- 유증기 방지를 위한 dry pump 적용
3. 전원/유틸리티 요구사항 및 기타
- Power supply : 3ph 208 V, AC 60 ㎐H
- 가스 인렛 커넥터 : 1/4인치
- 가스 인렛 압력 : 0.1-0.3 ㎫
- 가스 배출 아웃렛 : NW25
- 플라즈마 생성을 위한 가스봄베 및 저장설비