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장비정보

제작사
Brooks
모델 명
GF100

내용연수
5년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-12-26

취득금액
36,000,000원
인증정보
없음
기능
- MOCVD 기반 산화갈륨(Ga₂O₃) 에피 성장 공정에서 전구체 가스(Ar, O₂, SiH₄ 등)의 유량 및 압력을 정밀 제어하여 nm 수준의 두께 제어와 높은 재현성을 확보함.
- MFC 및 EPC를 활용하여 성장 공정 변수를 안정적으로 유지함으로써 고균일·고품질 산화갈륨 에피 박막 성장이 가능함.
- 이원계 및 삼원계 조성의 성장 조건을 넓은 범위에서 제어할 수 있어 다양한 구조의 산화갈륨 기반 소재 연구가 가능함.
장비 상세설명
- 산화갈륨 에피 성장용 MOCVD 시스템에 적용되는 고정밀 MFC및 EPC기반 유량, 압력 자동 제어 시스템임.
- Ar 400 sccm, Ar 3,000 sccm, O₂ 4,000 sccm 등의 다양한 유량 범위를 지원하여 실험 조건의 폭을 크게 확장함.
- 유량 정확도 ±1% 이내, 반복성 ±0.15% 이내의 성능을 확보하여 공정 재현성과 신뢰성이 우수함.
- 기존 보유 중인 MOCVD 장비의 작동 프로그램과 호환되는 디지털 제어 방식으로 구성되어 추가적인 시스템 변경 없이 연동 가능함.

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
[EA] 2,000,000원

장비설명

- 산화갈륨 에피 성장용 MOCVD 시스템에 적용되는 고정밀 MFC및 EPC기반 유량, 압력 자동 제어 시스템임.
- Ar 400 sccm, Ar 3,000 sccm, O₂ 4,000 sccm 등의 다양한 유량 범위를 지원하여 실험 조건의 폭을 크게 확장함.
- 유량 정확도 ±1% 이내, 반복성 ±0.15% 이내의 성능을 확보하여 공정 재현성과 신뢰성이 우수함.
- 기존 보유 중인 MOCVD 장비의 작동 프로그램과 호환되는 디지털 제어 방식으로 구성되어 추가적인 시스템 변경 없이 연동 가능함.

(장비사용료 별도 협의)

장비 구성 및 성능

< MFC 주요 사양 >
- Ar 용량 400 sccm : 2 ea
- Ar 용량 3,000 sccm : 1 ea
- O2 용량 4,000 sccm : 1 ea
- 유량 정확도
MFC 용량의 35~100% 공급 시 : 세팅 값의 ±1.0%
MFC 용량의 2~35% 공급 시 : MFC 총 용량의 ±0.35%
- 재현성 및 반복성
MFC 용량의 5 - 100% 공급 시 : 세팅 값의 ± 0.15%
MFC 용량의 2 - 5% 공급 시 : MFC 용량의 ± 0.015%
- 응답 시간 (Normally Close valve) : < 1 sec
- 응답 시간 (Normally Open valve) : < 1.5 sec
- Control Range:
2 - 100% (Normally Closed Valve) 3 - 100% (Normally Open Valve)
- Operating Temperature Range : 10 - 50 °C
- Maximum Operating Pressure : 500 psia max

< EPC 주요 사양 >
Pressure reading
- 정확도: 측정값의 ±1.0%
- 제로 온도 계수: EPC 용량의 ±0.02%
- 스팬 온도 계수: 측정값의 ±0.04%

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