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장비정보

제작사
Filmetrics
모델 명
F50-UV

내용연수
4년
구분
주장비

용도
분석
표준 분류
광학/전자영상장비 > 현미경 > 달리 분류되지 않는 현미경

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2026-01-19

취득금액
87,500,000원
인증정보
없음
기능
-분광 반사율(Spectroscopic Reflectance) 기반의 비파괴, 비접촉 방식으로 웨이퍼 절단 및 전극 형성 없이 산화갈륨 에피 박막 두께 측정 가능
- 자동 웨이퍼 맵핑을 통해 웨이퍼 전면의 두께 분포 및 균일도를 정밀 분석 가능
- 성장 조건 변화에 따른 박막 두께, 성장 속도 및 균일도 변화를 정량적으로 비교 평가 가능
장비 상세설명
- 분광 반사율 분석 원리를 이용한 비파괴, 비접촉 광학식 박막 두께 측정 장비로, 산화갈륨 에피 웨이퍼를 손상 없이 분석 가능
- 초당 두 지점 이상의 고속 측정과 자동 스테이지를 기반으로 웨이퍼 전 영역에 대한 단시간 내 고밀도 맵핑 측정 수행 가능
- 190–1100 nm 파장대의 UV-Vis 광원을 활용하여 수 nm 수준의 박막부터 수십 µm 두께까지 폭넓은 두께 측정 범위 제공
- 측정 데이터는 2D/3D 맵 및 이미지 형태로 시각화 가능하여 대면적 웨이퍼의 두께 균일도, 성장 편차 및 공정 재현성을 효과적으로 평가 가능

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
[EA] 200,000원

장비설명

- 분광 반사율 분석 원리를 이용한 비파괴, 비접촉 광학식 박막 두께 측정 장비로, 산화갈륨 에피 웨이퍼를 손상 없이 분석 가능
- 초당 두 지점 이상의 고속 측정과 자동 스테이지를 기반으로 웨이퍼 전 영역에 대한 단시간 내 고밀도 맵핑 측정 수행 가능
- 190–1100 nm 파장대의 UV-Vis 광원을 활용하여 수 nm 수준의 박막부터 수십 µm 두께까지 폭넓은 두께 측정 범위 제공
- 측정 데이터는 2D/3D 맵 및 이미지 형태로 시각화 가능하여 대면적 웨이퍼의 두께 균일도, 성장 편차 및 공정 재현성을 효과적으로 평가 가능

장비 구성 및 성능

- 초당 두 지점의 두께 측정 가능
- 두께 측정 범위: 5nm-40 mµ
- n & k 측정 최소 두께: 5 0nm
- 파장대 범위: 190-1100nm
- 정확도: 1nm or 0.2%
- 정밀도: 0.02nm
- 안정도: 0.05nm
- 측정 가능크기: 기본 1.5mm
(옵션으로 최소 150µm까 지 지원)

- 광원 램프 평균 고장 간격 (MTBF)
중수소(D2): 2000 시간
할로겐: 1200 시간

- 전원 사양:
100-240VAC,
50-60Hz
- 소비전력: 100Watts

- 샘플 크기
200mm : 척
최대 200mm 직경
300mm : 척
최대 300mm 직경

- 맵 측정 패턴 형성 프로 그램 제공
: 원형 및 사각형 형태의 패턴 생성 가능
: 방사형 및 직사각형 형 태의 패턴 생성 가능
: 중심 및 가장자리 영역 선택 제외 가능
: 측정 지점 밀도 조절 가능
: 그래프 변환을 통해 측 정 데이터 시각화 가능
: 2D 또는 3D 이미지 변 환을 통해 시각화 가능

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