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장비정보

제작사
MDC
모델 명
802B-150PS

내용연수
4년
구분
주장비

용도
분석
표준 분류
전기/전자장비 > 측정시험장비 > 다기능임피던스측정시험장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-12-31

취득금액
39,180,000원
인증정보
없음
기능
- 수은 프루브 (mercury probe)를 이용한 비파괴 접촉 방식으로 웨이퍼 절단 및 전극 증착 없이 산화갈륨 에피의 전기적 특성 측정이 가능함.
- 박막 내부 캐리어 농도, 도핑 농도 등을 정밀하게 분석할 수 있음.
장비 상세설명
- 수은 점(dot) 및 링(ring) 전극을 이용한 비파괴 접촉 방식의 E-CV 측정 장비로, 산화갈륨 에피 웨이퍼를 절단하거나 금속 전극을 형성하지 않고도 전기적 특성 분석이 가능함.
- 접촉 반복성 ±1.1% 이내의 안정적인 측정 성능을 제공하며 웨이퍼 전후면 접촉 및 가드링 포함 측정 등 다양한 운용 모드를 지원함.
- 웨이퍼 전 영역에 대해 다수의 측정 지점을 단시간 내 분석할 수 있어 대면적 웨이퍼의 전기적 균일도 및 성장 편차를 효과적으로 평가할 수 있음.
- 성장 조건 변화에 따른 도핑 농도 및 전기적 특성 변화를 체계적으로 분석하여 고품질 에피 성장 조건 도출에 활용 가능함.
- 비파괴 분석을 통해 샘플 소모를 최소화하고, 기존 Hall-effect 기반 분석 대비 측정 시간과 인력 소모를 크게 절감하여 연구개발 효율성을 향상시킴.

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
건별

장비 사용료
[EA] 200,000원

장비설명

- 수은 점(dot) 및 링(ring) 전극을 이용한 비파괴 접촉 방식의 E-CV 측정 장비로, 산화갈륨 에피 웨이퍼를 절단하거나 금속 전극을 형성하지 않고도 전기적 특성 분석이 가능함.
- 접촉 반복성 ±1.1% 이내의 안정적인 측정 성능을 제공하며 웨이퍼 전후면 접촉 및 가드링 포함 측정 등 다양한 운용 모드를 지원함.
- 웨이퍼 전 영역에 대해 다수의 측정 지점을 단시간 내 분석할 수 있어 대면적 웨이퍼의 전기적 균일도 및 성장 편차를 효과적으로 평가할 수 있음.
- 성장 조건 변화에 따른 도핑 농도 및 전기적 특성 변화를 체계적으로 분석하여 고품질 에피 성장 조건 도출에 활용 가능함.
- 비파괴 분석을 통해 샘플 소모를 최소화하고, 기존 Hall-effect 기반 분석 대비 측정 시간과 인력 소모를 크게 절감하여 연구개발 효율성을 향상시킴.

장비 구성 및 성능

- Contact Method
: Mercury dot and ring electrodes for
non-destructive contact
- Contact Area
: Dot diameter approximately 760um
: Ring area ratio of approximately 48.6:1 compared to dot
- Contact Repeatability: Within ±1.1%
- Contact Spacing: Approximately 400 µm
- Operating Modes:
: Front-to-back contact
Dual front contact
Front-to-back contact with guard ring
- Supported Wafer Sizes: up to 6-inch (150 mm)
- Dimensions: Approximately 15 cm (W) × 33 cm (D) × 18 cm (H)
- Dark Box:
: Aluminum Light-shielding enclosure
- Probe Accessories
: Wafer with Calibrated
Tox
Wafer with Calibrated Resistivity
Spare Vials
Maintenance Kit
Mercury Spill Kit
Mercury Vapor Filter
- Triaxial Cables
: 1 triaxial connector 2 extension cables 1 triaxial feedthrough
- Glove Box
: 800mmX800mmX700mm

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