베타
FC-R7700
13년
주장비
시험
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 결정성장장비
공동활용서비스
2025-12-15
30,000,000원
없음
HVPE를 활용한 전력반도체용 산화갈륨 에피 성장을 수행하기 위한 연구장비로, 산화갈륨 에피 성장을 위한 전구체 가스 (HCl 기반 Ga 소스), 반응 가스(O2), 캐리어 가스(N2) 각각의 유량을 정밀 제어하고 안정적으로 반응기에 공급함.
○ 가스 유량 제어
- HVPE를 활용한 전력반도체용 산화갈륨 에피 성장 공정의 고정밀 가스 유량 제어 및 안정성 확보
- 가스 유량의 미세 조절 및 안정적인 반응 분위기 유지를 통해 고품질 에피소재 확보 및 공정 신뢰도 향상
○ 산화갈륨 에피소재 품질 고도화
- 산화갈륨 성장을 위한 전구체 가스 (HCl 기반 Ga 소스), 반응 가스(O2), 캐리어 가스(N2) 각각에 최적화된 정밀 제어용 MFC를 신규 도입하여 유량 변화에 따른 공정 편차를 최소화하고, 재현성있는 데이터를 안정적으로 확보
- 정밀 가스 제어를 통해 고신뢰 공정 기반 에피 성장 조건 최적화
- 반복 및 조건별 산화갈륨 성장 실험을 통한 소재 데이터베이스 확보
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
[KG] 150,000원
○ 가스 유량 제어
- HVPE를 활용한 전력반도체용 산화갈륨 에피 성장 공정의 고정밀 가스 유량 제어 및 안정성 확보
- 가스 유량의 미세 조절 및 안정적인 반응 분위기 유지를 통해 고품질 에피소재 확보 및 공정 신뢰도 향상
○ 산화갈륨 에피소재 품질 고도화
- 산화갈륨 성장을 위한 전구체 가스 (HCl 기반 Ga 소스), 반응 가스(O2), 캐리어 가스(N2) 각각에 최적화된 정밀 제어용 MFC를 신규 도입하여 유량 변화에 따른 공정 편차를 최소화하고, 재현성있는 데이터를 안정적으로 확보
- 정밀 가스 제어를 통해 고신뢰 공정 기반 에피 성장 조건 최적화
- 반복 및 조건별 산화갈륨 성장 실험을 통한 소재 데이터베이스 확보
(1) 제어 가스: HCl, O2, N2
(2) MFC - HCl 용량(Full scale; F.S.): 100 sccm 또는 동등 성능 이상
(3) MFC - O2 용량(F.S.): 500 sccm 또는 동등 성능 이상
(4) MFC - N2 용량(F.S.): 5 slm 또는 동등 성능 이상
(5) 공정 가스의 안정적인 유동 확보
(6) Flange 특성: 내구성, 내화학성 및 고온 공정 환경에서 냉각 성능 유지
(7) 기상에피택시(HVPE) 장비 통신 시스템
B. 규격
(1) 기상 에피택시 가스 제어 시스템
1) Gas Control System
a. Flow Control Range: 2~100% of F.S. 또는 동등 성능 이상
b. Response Time: ≤ 2 sec (0% → 100%) 또는 동등 성능 이상
c. Accuracy: ≤ ±1 of F.S. 또는 동등 성능 이상
d. Linearity: ≤ ±1 of F.S. 또는 동등 성능 이상
e. Repeatability: ≤ ±0.2 of F.S. (0% → 100%) 또는 동등 성능 이상
f. Leak Integrity: ≤ 1×10-7 Pa∙m3/s (He) 또는 동등 성능 이상
g. Operating Temperature Range: 5~40℃ 또는 동등 성능 이상
2) Gas Terminal Flange
a. Materials: SUS316
b. Dimension (Gas Terminal Flange): Ø157×85L
c. Dimension (Primary/Secondary Flange): O.D Ø169, I.D Ø118×102L
d. Dimension (Loading Flange): Ø157×73L
3) Programmable Logic Controller (PLC)
a. 처리속도: 0.5 μs/step 또는 동등 성능 이상
b. 프로그램 메모리 용량: 7K step 또는 동등 성능 이상
c. 통신기능: RS-232
d. 최대 I/O 점수: 384점 또는 동등 성능 이상