시스넥스㈜
GT-700
8년
주장비
시험
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 유기금속화학증착장비
공동활용서비스
2025-12-12
30,052,000원
없음
MOCVD(유기금속화학증착장비)를 활용한 전력반도체용 산화갈륨 에피 성장 공정을 수행하기 위한 연구장비로, 산화갈륨 에피 성장 시 성장 챔버 내 정밀한 압력 제어 및 안정적 공정 분위기를 유지함.
○ 챔버 내 압력 제어
- MOCVD를 활용한 전력반도체용 산화갈륨 에피 성장 공정의 고정밀 압력 제어 및 안정성 확보
- 산화갈륨 에피 성장 공정 시 성장 챔버 내 정밀한 압력 제어 및 안정적 분위기 유지
○ 산화갈륨 에피 소재 품질 고도화
- 정밀한 압력 유지 및 장시간 운전 안정성 확보를 가능하게 함으로써, 공정 정밀도 및 신뢰도을 높이고 실험 반복성을 확보
- 안정적인 공정 제어를 기반한 에피 성장 조건 최적화
- 반복 및 조건별 산화갈륨 성장 실험을 통한 소재 데이터베이스 확보
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
[KG] 200,000원
○ 챔버 내 압력 제어
- MOCVD를 활용한 전력반도체용 산화갈륨 에피 성장 공정의 고정밀 압력 제어 및 안정성 확보
- 산화갈륨 에피 성장 공정 시 성장 챔버 내 정밀한 압력 제어 및 안정적 분위기 유지
○ 산화갈륨 에피 소재 품질 고도화
- 정밀한 압력 유지 및 장시간 운전 안정성 확보를 가능하게 함으로써, 공정 정밀도 및 신뢰도을 높이고 실험 반복성을 확보
- 안정적인 공정 제어를 기반한 에피 성장 조건 최적화
- 반복 및 조건별 산화갈륨 성장 실험을 통한 소재 데이터베이스 확보
1) Pressure Controller
a. Repeatability: ±0.1% of F.S. 또는 동등 성능 이상
b. Operating Temperature: 15℃~40℃ 또는 동등 성능 이상
c. Input Signal: 0~10 VDC 또는 동등 성능 이상
d. Output Signal: 0~10 VDC for Valve position 또는 동등 성능 이상
2) Baratron Gauge
a. Accuracy: ≤ 0.25% of Reading (1 Torr above) 또는 동등 성능 이상
b. Resolution: ≤ 0.001% of F.S. (1 Torr above) 또는 동등 성능 이상
c. Zero Temperature Coefficient: ≤ 0.015% of F.S./℃ (1 Torr above) 또는 동등 성능 이상
d. Span Temperature Coefficient: ≤ 0.04% of Reading/℃ 또는 동등 성능 이상
e. Operating Temperature: 15℃~50℃ 또는 동등 성능 이상
3) Vacuum Line
a. Product Standards (Angle Valve, Pipe): NW40 또는 동등 성능 이상
4) Operating Software
a. MOCVD process control program: TwinCAT3 통합제어 소프트웨어, 윈도우 기반 제어 프로그램 또는 동등 성능 이상