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장비정보

제작사
(주)티티엘
모델 명
FABStar-ICP etching system

내용연수
9년
구분
주장비

용도
생산
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-10-15

취득금액
949,346,270원
인증정보
없음
기능
히터유닛
[프로세스챔버#1_InP식각]
- Top heater : 30℃~70℃ 컨트롤
- Wall heater : 30℃~70℃ 컨트롤
- Electrode heater : 30℃~200℃ 컨트롤
* He back side heating 장착으로 압력 및 유량 컨트롤 가능)
[프로세스챔버#2_SiO2/SiNx식각]
- Top heater : 30℃~70℃ 컨트롤
- Wall heater : 30℃~70℃ 컨트롤
장비 상세설명
펌프유닛에는 아래의 구성이 포함
- 프로세스챔버#1, #2는 터보펌프 + 드라이펌프 각각 구성
- 로드락챔버는 오일로터리펌프 또는 드라이펌프로 구성
※ 터보펌프는 별도 컨트롤러 구성 및 드라이펌프는 키패드 장착
○ 제너레이터유닛에는 아래의 구성
- Bias RF generator : 1000w이상. 13.56MHz
- ICP RF generator : 3kw이상, 2MHz
- Matching box : 디지털타입

이용안내

사용형태
직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 150,000원

장비설명

플라즈마를 이용하여 InP, SiO2/SiNx 감광제(미세식각)물질을
식각하는 장비로서 다음과 같은 항목으로 구성
1) 프로세스챔버 2ea와 별도의 로드락챔버로 구성
2) 프로세스챔버#1은 InP식각용, 프로세스챔버#2는 SiO2/SiNx식각용으로,
개별 프로세스챔버 식각이 가능

장비 구성 및 성능

플라즈마를 이용하여 InP, SiO2/SiNx 감광제(미세식각)물질을
식각하는 장비로서 다음과 같은 항목으로 구성
1) 프로세스챔버 2ea와 별도의 로드락챔버로 구성
2) 프로세스챔버#1은 InP식각용, 프로세스챔버#2는 SiO2/SiNx식각용으로,
개별 프로세스챔버 식각이 가능하여야 하고, 또한 동시에 식각이 가능

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