Keysight

없음

*DC 측정
o 2~4 terminal I-V 측정 (2 channal HRSMU 가능)
o constant voltage stress, constant current stress 기반 신뢰성 평가
o Triangular Voltage stress 기반 IMD 이온 이동 측정

* C-V, C-f 측정
o 소자의 cga, cgb, cgc 커페시턴스 거동 분석
o 1k~5MHz 범위에서 주파수범위에 대한 커페시턴스 거동 분석

* 고속펄스기반 특성 분석
o 고속 펄스 인가에 따른 self heating 배제한 성능측정
o BTI w/o recovery 신뢰성 측정

본 장비는 DC, C-V/C-f 및 고속 펄스 측정을 통합 지원하는 반도체 파라미터 고속 측정 장비로, 소자의 정적·동적 전기적 특성과 신뢰성 거동을 정밀하게 분석할 수 있다. 2~4 terminal I-V 측정을 통해 접촉저항 및 채널 특성 분리가 가능하며, constant voltage 및 constant current stress 기반의 가속 신뢰성 평가를 수행할 수 있다. 또한 triangular voltage stress를 이용한 IMD 이온 이동 특성 분석이 가능하다. C-V 및 C-f 측정에서는 1 kHz~5 MHz 주파수 범위에서 cga, cgb, cgc 등 커패시턴스 거동을 분석할 수 있으며, 고속 펄스 기능을 통해 self-heating 영향을 배제한 성능 평가와 BTI recovery를 제외한 순수 열화 특성 측정이 가능하다.