아이프리시전

없음

IR 기반 W2W 본딩 계면 결함 분석 장비는 Wafer-to-Wafer 본딩 이후 발생할 수 있는 내부 결함(보이드, 박리 등)을 비파괴적으로 관찰·분석하기 위한 적외선(IR) 투과 검사 시스템임. 본 장비는 SWIR(0.4~1.7 µm) 대역의 InGaAs IR 카메라 기반으로 구성되어 실리콘 웨이퍼의 투과 관찰 가능하며, **4~12인치 웨이퍼(Flat/Notch 타입)**에 모두 대응함.

웨이퍼 전면을 대상으로 한 고해상도 IR 영상 획득을 통해 본딩 계면 결함의 실시간 시각화 가능하며, 웨이퍼 뒷면에서 투과된 IR 신호를 이용해 계면 보이드 유무 및 분포를 정밀하게 확인 가능함. 또한 고출력 IR 광원과 필터 적용으로 가시광 신호를 제거하고 IR 신호만을 선택적으로 검출하여 분석 정확도 향상됨.

Vision Inspection 소프트웨어 기반의 사용자 인터페이스 제공으로 자동/수동 검사 수행 가능, 검사 조건(Recipe) 설정, 결함 이미지 저장 및 로그 관리 기능 포함됨. 반복 측정을 통해 공정 조건 변화에 따른 결함 발생 경향의 정량적 비교 분석 가능함.

아울러 IR 투과 관찰과 blade test 결과를 활용하여 본딩 계면 분리 위치 및 전파 거리 측정 가능하며, 이를 통해 본딩 표면에너지 및 계면 결합력 변화의 정량 평가 가능함. 본 장비는 웨이퍼 본딩 공정 최적화 및 접합 신뢰성 향상을 위한 핵심 분석 장비로 활용 가능함.

- 장비 역할: W2W(Wafer-to-Wafer) 본딩 후 계면 내부 결함(보이드, 박리, 균열 등)을 비파괴(IR 투과) 방식으로 관찰·정량 분석하여 본딩 품질 평가 및 공정 최적화에 활용

- 적용 대상: 4~12인치 실리콘 웨이퍼 대응(두께 약 525~775 μm), Flat/Notch 타입 지원, 웨이퍼 전면 검사 가능

- 검사 원리/구성: SWIR(0.4~1.7 μm) 대역 InGaAs IR 카메라 기반으로 웨이퍼 투과 관찰 수행, 940 nm 고출력 IR 광원(100 W) 및 확산판 적용, 1100 nm 가시광 차단 필터로 IR 신호 선택 검출

- 카메라 성능: InGaAs CMOS 센서(1296×1032, 5 μm 픽셀), 최대 72 fps, 공냉식 냉각 방식으로 안정적 영상 획득

- 공간 해상도/정밀도: Pixel resolution 200 μm(200 mm) / 300 μm(300 mm), 검사 정밀도 300 μm(200 mm) / 500 μm(300 mm) 수준의 결함 식별

- 주요 기능: 본딩 계면 보이드 유무 및 분포 실시간 시각화, 결함 이미지 저장 및 결함 로그 기록, 정량적 이미지 비교로 공정 변수별 결함 발생 경향 분석

- 운영 소프트웨어: Vision Inspection SW 및 MMI GUI 탑재, Auto/Manual 전환, Recipe Editor 기반 파라미터 설정, 조명 개별 광량 조정 및 사용 시간 관리

- 확장 활용: Razor blade test 후 계면 분리 위치/전파 거리 측정으로 표면에너지(본딩 강도) 정량 평가, 열처리·플라즈마·표면조도 등 조건별 계면 결합력 비교 분석 가능