Form Factor

없음

* 정밀 웨이퍼 포지셔닝 기능
- X-Y 스테이지 이동 범위 200 mm, Z 이동 35 mm, Theta ±7.5°
- 반복 정밀도: X-Y ≤ 1.5 µm / Z ≤ 1 µm / Theta ≤ 1.5 µm
- < 1 µm 해상도의 Manipulator로 미세 패드 정밀 접근 지원
* 온도 제어 기능
- –40 °C ~ +300 °C 온도 범위 지원
- 웨이퍼 온도 정확도 ±2.5 °C(@100 °C)
- 공냉식 Thermal System 기반 안정적 온도 환경 제공
* 전기적 특성 측정 환경 제공
- Chuck 누설 전류 ≤ 20 fA
- EMI 차폐(≥ 20 dB, 0.5~20 GHz) 및 저노이즈 측정 환경 구현
- 외부 계측기(파라미터 애널라이저, VNA 등) 연동 가능
* 고주파(RF) 측정 기능
- 최대 110 GHz RF Probe(GSG) 지원
- 2-Port VNA 연동 고주파 특성 평가 가능
* 광학 및 정렬 기능
- 20 MP 디지털 현미경 탑재
- 자동 얼라인 기능을 통한 다이 정렬 및 측정 위치 설정 지원
* 보정 및 소프트웨어 지원
- WinCal 5 Base Version 소프트웨어 제공
- 제조사 인증 엔지니어 설치 및 시스템 검증 포함

- 본 장비는 반도체 웨이퍼 및 개별 소자의 전기적 특성 평가를 수행하기 위한 반자동( Semi-automatic ) 프로브 스테이션으로, 정밀 위치 제어와 안정적인 측정 환경을 제공함.
- X-Y 스테이지 최대 이동 범위 200 mm, Z 스테이지 35 mm, Theta 회전 **±7.5°**를 지원하여 다양한 웨이퍼 및 소자 측정 환경에 대응 가능함.
- 스테이지 반복 정밀도는 X-Y ≤ 1.5 µm, Z ≤ 1 µm, Theta ≤ 1.5 µm로, 미세 패드 기반 반도체 소자의 정밀 측정에 적합함.
- 해상도 < 1 µm의 Manipulator를 적용하여 미세 패드에 대한 안정적인 프로브 접근 및 접촉 제어가 가능함.
- –40 °C ~ +300 °C 범위의 Thermal System을 통해 온도 의존성이 큰 반도체 소자의 전기적 특성 변화를 정밀하게 평가할 수 있음.
- 웨이퍼 온도 정확도 ±2.5 °C(@100 °C) 및 공냉식 열 제어 구조를 통해 반복성과 신뢰성이 확보된 측정 환경을 제공함.
- Chuck 누설 전류 ≤ 20 fA, EMI 차폐 성능 **≥ 20 dB(0.5~20 GHz)**를 만족하는 저노이즈 측정 환경을 구현하여 미세 전류 및 전압 특성 측정이 가능함.
- 외부 계측기와 연동하여 DC 전기적 특성 측정 및 고주파 특성 평가를 수행할 수 있음.
- 최대 110 GHz RF Probe(GSG) 및 2-Port VNA 연동 구성을 통해 고주파 반도체 소자의 RF 특성 검증이 가능함.
- 20 MP 디지털 현미경(eVue-V)**과 자동 얼라인 기능을 통해 다이 정렬 및 측정 위치 설정의 정확성과 반복성을 향상시킴.
- WinCal 5 Base Version 소프트웨어를 활용한 측정 및 보정 기능을 제공하며, 제조사 FormFactor 인증 엔지니어에 의한 설치 및 시스템 검증이 포함됨.