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장비정보

제작사
(주)큐빔솔루션
모델 명
EUVEM

내용연수
5년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
화합물전처리/분석장비 > 분광분석장비 > 달리 분류되지 않는 분광분석장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-10-30

취득금액
475,796,440원
인증정보
없음
기능
본 장비는 EUV(13.5 nm)의 부품 소재 특성평가 하는 장비임,
EUV 부품소재로는 EUV PR, EUV 펠리클, EUV 미러 등이 있음.
PR 민감도 측정: EUV 조사량에 따른 PR의 반응정도를 측정하는 것으로 EUV 조사량을 바꾸어 가며 PR을 반응시킨후 챔버 밖으로 꺼낸후 현상액에 현상하여 남은 PR두께를 측정하여 민간도를 측정함.
EUV Pellicle 투과도 측정: 원래의 EUV beam의 파워를 측정하고 펠리클 투과한 후의 EUV beam power를 측정하여 두 결과값을 비율을 도출하여 투과도를 측정함.
EUV 미러의 반사도 측정: 원래의 EUV beam의 파워를 측정하고 EUV 미러 반사한 후의 EUV beam power를 측정하여 두 결과값을 비율을 도출하여 반사도를 측정함.
장비 상세설명
EUV 광원은 구별되어 따로 있고 본장비는 EUV 광원으로부터 EUV를 추출하는 단계로부터 시작함. EUV 광원과 진공으로 연결되어 있으며 EUV 전송부, 시료처리부 등으로 구성되어 있고 각각은 진공상태이며 진공으로 연결되도록 구성됨. EUV 전송부는 EUV 광원으로부터 EUV를 추출하여 EUV 광을 모아 시료처리부 진공용기로 보내주는 역할을 함. EUV 미러가 2개로 Z-fold로 구성되어 각각 미러는 각도등을 제어하여 EUV beam을 정렬하여 시료부로 보낼수 있도록 구성함. 또한 베이스압력은 10-6 Torr이고 He gas를 주입하여 10 mTorr 정도로 유지하여 EUV 광원으로부터 넘어오는 오염입자를 최소화하도록 구성함. 시료처리부는 시료를 로딩할수 있는 챔버가 연결되어 있고 시료로딩후 EUV를 조사하여 시료처리를 할수 있도록 구성됨. 3가지 샘플 홀더 카트리지로 구성하여 샘플종류에 맞게 선택하여 샘플을 로딩하여 EUV를 조사/처리할수 있도록 구성함. 시료처리부 챔버의 베이스압력은 10-6 Torr가 되도록 진공펌핑시스템을 장착함. 샘플로딩부모듈은 샘플 종류에 맞게 로딩할수 있도록 로딩암을 구성함. 샘플로딩부 베이스압력은 ~mTorr 정도이고 펌핑시간을 최단시간으로 운용하기 위한 펌핑시스템이 장착되었음.

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 14,274원

장비설명

본 과제의 목적은 반도체 진공 소재 부품 장비 평가 기반구축이며 그중에 진공 EUV 부품 소재의 특성을 평가하는 장비임. EUV 소재부품의 국산화를 위해 국내 산학연에서 개발하고 있는 소재부품의 성능 및 특성 평가 지원서비스가 필요하며 이에 대응하기 위한 장비로써, 본 장비는 EUV PR민감도, EUV 펠리클 투과도, EUV 미러 반사도를 각각 측정할수 있게 구성함. 본 장비는 EUV beam을 샘플 챔버까지 전달하는 EUV optics 챔버 모듈, EUV 파워 측정, sample 위치제어 등을 수행하는 샘플 제어모듈, 샘플을 외부에서 샘플챔버로 로딩하는 로딩모듈 등으로 구성됨. EUV optics 모듈은 두 개의 EUV 미러와 euv beam을 정렬하기 위한 제어시스템이 구성되어 있으며 EUV 광원으로 넘어오는 오염입자를 최소화하기 위해 He gas를 buffer gas로 사용할수 있게 구성됨. 샘플챔버는 3가지 샘플 홀더 카트리지로 구성하여 샘플종류에 맞게 선택하여 샘플을 로딩하여 처리할수 있도록 구성함. 로딩모듈은 샘플 종류에 맞게 로딩할수 있도록 로딩암을 구성함.

장비 구성 및 성능

1) 본 장비는 반도체 EUV 부품소재 성능평가하는 장비로서, 진공상태에서 EUV 광을 align할수 있도록 미러 각도조절, 선형모션 등의 제어가능.
2) EUV 소재 · 부품 성능평가 시스템장비는 샘플을 플라즈마처리장비에서 처리후 바로 EUV에 노출할수 있도록 샘플을 EUV sample treatment chamber로 이송할수 있도록 샘플 이송장치가 구비되어 있음.
3) scintillator 2개는 진공중에서 각각 mirror 앞에서 열고 닫을수 있도록 구성됨.
4) EUV shutter는 1초 이내로 열고 닫을수 있음.
5) plasma treatment chamber 에는 H2, Ar, N2 가스를 사용할 수 있으며 EUV delivery chamber에는 H2 가스를 사용할수 있으며, 이러한 가스 이용하기 위한 MFC system을 갖추고 있음.
6) plasma treatment chamber 장비의 진공도 측정 및 공정 압력 조절을 위한 baratron gauge와 throttle valve auto pressure gauge 가 있으며 플라즈마 발생시 플라즈마 밀도를 상시 측정할수 있는 컷오프 플라즈마 측정장치가 구비되어 있음.
7) 각 3개의 모듈은 진공으로 연결 되어 있으며 중간에 gate valve로 분리할수 있음.
8) 밸브들은 공압이나 전기적 신호에 의하여 제어되며, 각각의 제어는 랩뷰로 프로그램한 자체소프트웨어 프로그램으로 조절할 수 있음.
9) 제어부는 PLC기반으로 되어 있으며, 렉에 설치되며 완전 자동화된 시스템을 갖추고 작동할 수 있음.
10) 완전 자동화 및 레시피를 이용하여 장비를 구동할 수 있는 PC 프로그램이 구축되어 있음.

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