○ 웨이퍼에 감광액(Photoresist)을 얇게 코팅한 후 이 웨이퍼에 원하는 회로 패턴의 포토 마스크를 올려 놓고 정밀하게 정렬하여 자외선(UV)을 조사한 다음 현상과정을 거쳐 미세 회로 패턴을 얻을 수 있는 장치
○ 기판이나 웨이퍼 등 샘플 크기 최대 6인치용이며, 포토 마스크의 크기는 최대 7인치까지 가능함
○ X, Y, Z축 스테이지 이동 가능
○ 스테이지 정렬 정밀도(Alignment Accuracy) ±1.0 μm 이내
○ 방진테이블과 진공 펌프 포함
○ 분해능(Resolution) : 1 μm (진공 접촉 모드에서 1 μm 두께의 감광막 코팅된 실리콘 웨이퍼 기준)
○ 듀얼 광학계와 카메라를 통해 X, Y, Z축 등 위치 이동과 실시간 관찰이 가능함(모니터 포함)