Keysight Technologies

없음

○ 마이크로파 및 밀리미터파 대역 차세대 통신용 소재의 정밀 고주파 특성 측정
- 수십 GHz의 신호를 송신·수신하여 반사 및 전달 특성을 나타내는 S-파라미터(Scattering Parameters)를 측정함.
- 주파수 응답, 반사 손실, 전송 손실, 공진 주파수 등을 분석하여 소재의 유전율을 측정함
○ 온웨이퍼 상태에서 소재의 정밀 특성 측정
- 온웨이퍼 프로브 시스템을 사용하여 고주파 컨넥터를 사용할 필요 없이, 웨이퍼나 소자의 지정된 위치를 자동으로 프로빙하여 측정의 정확성과 반복성을 보장하며 측정 소자의 손상을 방지할 수 있음
○ 프로브 스테이션 내부의 정전척을 사용하여 측정 온도를 변화시켜 최소 –40°C부터 최대 300°C까지 소재 특성 측정이 가능함

○ 마이크로파 및 밀리미터파 대역을 사용하는 차세대 통신용 소재의 저온 및 고온에서의 고주파 특성 측정을 위한 장비임
- 네트워크분석기와 프로브 스테이션으로 구성되어 수십 GHz 이상의 주파수를 사용하는 마이크로파 및 밀리미터파 소재의 정밀 고주파 특성 평가가 가능함.

○ 주요 사양
- Test Frequency : 900Hz ~ 110GHz
- RF Transmit/Receive Dynamic Range : Max. 126dB
- Pulsed RF Generator : Pulse Width 200 ns
- Dielectric Constant Test Range : 1 ~ 100
- Loss Tangent Test Range : 0.00001 ~ 1
- Real-time On-wafer mm-wave Measurement
- Test Range Size : Min. 200 mm x 200 mm
- Test Resolution : Max. 0.2 um
- Test Material Thickness : 0.1 mm ~ 35 mm
- Test Temperature : -40°C ~ 300°C