○ 웨이퍼 챔버
- 8인치 웨이퍼 대응
- 400 ℃ 이하 공정
- Reaction chamber: Anodized Al 6061 body
- Susceptor heater: Stainless steel 316
- Showerhead kit: Single shower head temperature: 150 ℃
- 두께 균일도: ~98%
- 대응 기판 크기: 8인치
- 웨이퍼 공정 온도: ~400 ℃
- Plasma Type: CCP RF 13.56 MHz
- Process Gap: 15 ~ 20 mm
- Chamber Lid Heater: ~150 ℃
- Pumping Line Size: NW40
- Pump: 10,000L급 Dry Pump
- Load-lock Chamber

○ 분말 챔버
- 부유 방식(Fluidized type bed reactor)
- 3L 부피
- 300 ℃ 이하 공정, Al 6061 alloy and SUS mesh
- Seperated zone showerhead
- 함량 균일도: ~90%
- 분말 회수율: ~98%
- 파우더 챔버 크기: 1L x 3 ea
- 파우더 공정 온도: ~300 ℃
- Fluidized Bed Type Reactor

○ 가스 공급 시스템
- Canister 5세트 (전구체) + 1세트 (Reactant)
- Liquid canister: Stainless steel 316, 200 cc size (잔량 표시 기능 탑재)
- Canister heating: 150 ℃ (5 canister)
- Canister: Al, Ti, Mg, Li, Nb
- 공정 가스: Ar, N2, O2, O3, NH3
- MFC set: VCR 1/4“, 1000~5000 sccm
- 오존 발생기: 농도 ~210 g/m3, 오존 제거기 탑재, 농도측정기 탑재,
- 가스 검출기: NH3, O3