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장비정보

제작사
Kla-tencor
모델 명
SP1 TBI

내용연수
10년
구분
주장비

용도
분석
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 광학검사기

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2026-04-16

취득금액
1,970,030,000원
인증정보
없음
기능
- Auto Wafer Scanning
- Wafer Defection Sensor
- Wafer Centering System
- Loading 12 inch Standard Wafer Carrier
장비 상세설명
O Non patterned wafer 표면 검사
O 레이저 빔 기반 Spiral 스캔 방식 적용
O 웨이퍼 표면의 파티클, 스크래치 등 결함 검출
O 표면 미세 거칠기(Haze) 측정 및 정량 분석 지원
O Bare Si 기준 최소 약 60~80 nm 수준의 결함 탐지 가능
O Normal / Oblique 입사 모드 지원
O Throughput(High/Low) 조절을 통한 감도, 처리량 최적화 가능
O 암시야 및 명시야 기반 다중 채널 광학계 적용
O DWN/DWO, DNN/DNO, DIC 등 채널을 통한 결함 특성 분석 지원
O Haze 신호를 ppm 단위로 정량화 가능
O 결함 유형별 자동 분류 기능 제공
O LPD-N 분석 기능을 통한 COP(결정 결함)와 실제 입자(Particle) 구분 가능
O 결함 맵, Haze map, Histogram 제공
O MicroView 기능 기반 3D 와이어프레임 및 솔리드 렌더링 지원
O 150 / 200/ 300 mm 웨이퍼 호환
O 로봇 암 기반 자동 웨이퍼 핸들링 지원
O 카세트 자동 관리 및 자동화 검사 시스템 지원

이용안내

사용형태
기관의뢰 직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
기타

장비 사용료
[EA] 210,000원

장비설명

O Non patterned wafer 표면 검사
O 레이저 빔 기반 Spiral 스캔 방식 적용
O 웨이퍼 표면의 파티클, 스크래치 등 결함 검출
O 표면 미세 거칠기(Haze) 측정 및 정량 분석 지원
O Bare Si 기준 최소 약 60~80 nm 수준의 결함 탐지 가능
O Normal / Oblique 입사 모드 지원
O Throughput(High/Low) 조절을 통한 감도, 처리량 최적화 가능
O 암시야 및 명시야 기반 다중 채널 광학계 적용
O DWN/DWO, DNN/DNO, DIC 등 채널을 통한 결함 특성 분석 지원
O Haze 신호를 ppm 단위로 정량화 가능
O 결함 유형별 자동 분류 기능 제공
O LPD-N 분석 기능을 통한 COP(결정 결함)와 실제 입자(Particle) 구분 가능
O 결함 맵, Haze map, Histogram 제공
O MicroView 기능 기반 3D 와이어프레임 및 솔리드 렌더링 지원
O 150 / 200/ 300 mm 웨이퍼 호환
O 로봇 암 기반 자동 웨이퍼 핸들링 지원
O 카세트 자동 관리 및 자동화 검사 시스템 지원

장비 구성 및 성능

1. 주요 사양
- Normal Illumination: 0.083um Defect Sensitivity
- 0.005-ppm Haze Sensitivity
- Solid State Laser(SSL)
- Real Time Defect Classification
- Measurement Chamber with ULPA Filter and Blower Unit
- Operator Interface(integrated in Measurement Module)
- Defect Map and Histogram with Zoom
- MicroView Measurement Capability

2. Accessory
- Calibration Wafer

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