Suss Microtec

없음

○ Substrate type & Size
- Glass : Max. 200x200㎟
- Wafer : Max. 8inch
○ Mask szie : 7inch or 9inch
○ Contact Mode : proximity, Soft, hard, Vacuum
○ Resolution : ≥1㎛(6inch), ≥1.5㎛(8inch)
○ Alignment Gap : 1~1000㎛
○ Align Accuracy(양면)
- Top Side Alignment(TSA) accuracy : 0.5㎛
- Back Side Alignment(BSA) accuracy : 1.0㎛
○ Exposure lamp power : Hg 350W 이상
○ Wavelength : 350~450㎚(UV400)
○ Exposure Optics Unit : intensity +/- 4% 이내(200x200㎜ 기준)
○ Objective : 5x, 10x (working distance 20㎜)

1. 크기 200㎜×200㎜의 유리기판 및 유연필름, 웨이퍼(8인치 이하) 기판을 이용하여 미세 회로 패턴을 형성하는 필수장비로써 감광성 소재가 코팅된 기판을 로딩한 후 특정 패턴의 마스크 정렬 및 노광을 통해 원하는 회로 패턴을 형성하는 공정장비임
2. proximity, Soft, Hard, Vacuum mode를 소재 및 해상도에 따라 선택적으로 활용함으로써 기업의 다양한 수요 대응이 가능
3. Photoresist, Poly imide, BM, Bank, Color filter 등 다양한 감광성 소재를 이용하여 디스플레이, 반도체, 센서 분야 등 다방면의 활용이 가능함
4. BSA(Back Side Alignment)를 이용하여 첨단센서 및 패키징 공정 활용 가능