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장비정보

제작사
(주)엔씨디
모델 명
Lucida D100HT_DC

내용연수
10년
구분
주장비

용도
생산
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-04-25

취득금액
96,800,000원
인증정보
없음
기능
ALD(Atomic Layer Deposition)는 자기 제한적 박막 성장기술로 우수한 단차 도포성(conformality), 균일한 피복성(uniformity), 정밀한 두께 제어 등과 같은 장점을 가지는 3차원 구조의 복잡한 구조에서도 고품질의 박막을 형성할 수 있는 핵심 박막 증착 기술임. 공정 recipe를 직접 작성하고 수정할 수 있어 실무 및 연구 역량 강화를 위한 교육용으로 아주 적합한 장비이며, 반도체 특성화 대학원 필수과목인 반도체 소자 실험/실습 과목에 필수적으로 사용될 장비임.
장비 상세설명
열 원자층 증착법은 전구체(precursor) 가스를 번갈아 순차적으로 주입하여, 기판 표면에서 자기제한적 반응(self-limiting reaction)을 통해 한 층씩 박막을 증착하는 방식임. 이를 통해 피막 두께를 원자 단위로 제어할 수 있으며, 균일성과 피복성(conformality)이 매우 우수함.

이용안내

사용형태
직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 100,000원

장비설명

- 열 원자층 증착 장비(Thermal Atomic Layer Deposition, Thermal ALD)는 전통적인 ALD 방식으로, 전구체 간의 화학 반응이 외부 플라즈마 없이 열만으로 유도되는 시스템임. 플라즈마 기반 ALD보다 공정은 느리지만, 공정 안정성, 균일성, 표면 피복성(conformality)이 뛰어나며, 특히 열적으로 안정한 기판 및 전구체에 적합함.

장비 구성 및 성능

○ 챔버형태 : 수평형 실린더 형태(Traveling wave type) 6 inch wafer size
○ 챔버온도 Max 450℃
○ 특허기술을 보유한 IGS System 도입
○ Source line 8개
- 프리커서 7개 : 4ea Bubbler type(hi-temp), 4ea Suction type(low-temp)
- 리액턴트 1개 : 1ea H2O
○ Rotary pump 포함 > 1,000 l/m
○ 박막균일도 ≤ ±2%(In Active area at 200Å, Al2O3)
○ Heating Block & Cooling Jacket for Vapor Pressure Control
○ Automatic control system
- 레시피 구성 가능
- PID Temp Control
- Electrical Power Drive Panel Box
- PC & LCD Monitor

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