INSIDIX

없음

열변형 시험기는 웨이퍼, 기판, HBM이나 3D 반도체 패키지 등의 첨단반도체 소재와 부품에 고온, 저온의 환경을 조성하면서 제품의 변형을 측정하는 장비로 세부적으로는 반도체 패키지 제품 설계 후 실제 고온 과정에서 제품의 변형을 측정하거나 웨이퍼, 기판, 패키지 등 공정 전에 고온 환경에서 제품의 변형(Warpage) 및 열팽창 계수(CTE)를 측정함으로써 반도체 제품의 신뢰성과 관련된 시험 및 검증을 수행하는 장비임

- 챔버 : 저온 및 고온 환경 모사
․ 온도범위 : - 65 ℃ ~ 400 ℃
․ 온도의 균일도 : 챔버 내부 측정 Plate (직경) 300 mm 에서 ± 5 ℃ 이하
- 3D Moire 측정기 적용
- Field of View Optics 5종 적용
․ Field of View 10 : 10 × 12 (mm)
․ Field of View 30 : 30 × 30 (mm)
․ Field of View 90 : 90 × 90 (mm)
․ Field of View 150 : 150 × 150 (mm)
․ Field of View 300 : 300 × 375 (mm)
- 측정 픽셀(Pixel) 크기는 선택 Field of View에 따라 3.3 ~ 100 ㎛ 까지
- 측정항목 : Projection Moire Fringe, Optical Coherence Tomography(OCT), 열팽창 계수(CTE), 제품의 변형(Warpage)