㈜피앤테크

없음

1) 반도체 제조 공정에서 산화(Oxidation) 공정을 수행하는 6인치 수평형 퍼니스(Oxidation Furnace)입니다.
2) Dry 및 Wet 산화 공정이 가능하며, 최대 온도 1150℃까지 균일한 열처리를 제공합니다.
3) Cantilever Type 수동 로딩 방식을 채택하여 웨이퍼의 안정적인 이동이 가능하며, PLC 및 PC 기반의 터치 패널 컨트롤 시스템을 적용하여 정밀한 온도 및 공정 제어가 가능합니다.
4) 질소(N2), 산소(O2), C-N2(DI Bubbler) 등의 가스 공급 시스템을 갖추어 다양한 산화 조건을 구현할 수 있습니다.

1) 반도체 웨이퍼 산화 공정에 특화된 고온 열처리 퍼니스로, 반도체 소자의 절연막 형성을 위한 필수 장비입니다. Dry 산화(N2, O2) 및 Wet 산화(C-N2 DI Bubbler) 공정을 지원하며, 최대 1150℃까지 정밀한 온도 제어가 가능합니다.
2) 1-Zone 히터(100mm Flat Zone) 및 SCR 유닛을 적용하여 균일한 열분포를 제공하며, Spike Thermocouple 및 Profile Thermocouple을 활용하여 실시간 온도 모니터링이 가능합니다. 웨이퍼 로딩 방식은 Cantilever Type의 수동 로딩 방식으로 설계되어 있으며, 6인치 웨이퍼 최대 10매를 동시에 처리할 수 있습니다.
3) MFC(Mass Flow Controller) 기반 가스 제어 시스템이 적용되어 질소(N2), 산소(O2), C-N2(DI Bubbler) 등의 가스 흐름을 정밀하게 조절할 수 있습니다. PLC 및 PC 기반의 터치 패널 컨트롤 시스템을 통해 공정 제어가 용이하며, Quartz Tube 및 Quartz Boat를 사용하여 고온에서도 오염을 최소화할 수 있습니다.
4) 장비의 구조는 SUS 및 알루미늄 가공 부품을 포함한 견고한 프레임으로 제작되었으며, Breaker, ELB, Transformer 등 전장 부품이 포함되어 신뢰성이 높은 전력 제어 시스템을 갖추고 있습니다.