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장비정보

제작사
울텍
모델 명
PERI-R150

내용연수
9년
구분
주장비

용도
교육
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2024-12-13

취득금액
88,900,000원
인증정보
없음
기능
반도체 주요공정 중 식각공정에 주요하게 사용되는 장비로 진공 챔버내에서 플라즈마를 이용하여 박막을 식각하여 정밀패턴을 형성하는데 사용되는 연구 장비. 본 장비는 CF4 가스를 포함한 다양한 가스(SF6, O2, Ar)를 활용하여 건식 식각이 가능하며, 해당 장비를 통하여 반도체 미세 패턴 구현이 가능함.

(1) 공정 챔버 모듈
⦁ 공정 챔버 - 플라즈마 확인용 RF실드가 장착된 전면 창
⦁ 샤워헤드 유닛 - 샤워헤드 재질: 알루미늄
⦁ 척 유닛 - 쿼츠focus링, 세라믹isolator, RF noise 완벽 차폐
(2) 전원 공급 모듈
⦁ RF 제너레이터 - 디지털 RF 파워미터, DC self bias 인디케이터
⦁ RF 매칭 유닛 - 작동 유형: 자동형, 주파수: 13.56MHz
(3) 진공 모듈
⦁ 진공 펌프 - 로터리 펌프: 700 L/min(Fomblin oil type)
⦁ 진공 밸브 및 라인 - Pneumaitc 타입 roughing 라인 앵글 밸브
(4) 가스 공급 모듈
⦁ 사용 가스 및 유량 제어 - 퍼지 및 배기: Metering 밸브 - N2
장비 상세설명
진공 챔버내에서 플라즈마를 이용하여 박막을 식각하여 정밀패턴을 형성하는데 사용되는 연구 장비. 본 장비는 CF4 가스를 포함한 다양한 가스(SF6, O2, Ar)를 활용하여 건식 식각이 가능하며, 해당 장비를 통하여 반도체 미세 패턴 구현이 가능함.

이용안내

사용형태
직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 40,000원

장비설명

진공 챔버내에서 플라즈마를 이용하여 박막을 식각하여 정밀패턴을 형성하는데 사용되는 연구 장비. 본 장비는 CF4 가스를 포함한 다양한 가스(SF6, O2, Ar)를 활용하여 건식 식각이 가능하며, 해당 장비를 통하여 반도체 미세 패턴 구현이 가능함.

장비 구성 및 성능

1. 구성
1) 공정 챔버 모듈
- 프로세스 챔버(용접없는 알루미늄 블록 가공)
- 샤워헤드 유닛
- 척유닛: 조각~6인치 웨이퍼 기판 용, 쿼츠 focus 링, 세라믹 isolator, RF noise 와벽 차폐

2) 전원 공급 모듈(RF 13.56 MHz, 600 W, 50Ω)
- RF 발생기
- RF 매칭박스

3) 진공 모듈
- 진공펌프: 로터리펌프 700L/min
- 압력 게이지: 저진공용 컨벡트론 게이지
- 자동압력제어시스템

4) 가스 공급 모듈 (사용가스 CF4, SF6, O2, Ar)
- Mass Flow Controller

5) 제어 모듈
- PC 시스템 제어 (GUI 기반 자체 개발 소프트웨어 포함)
- 메인 프레임 (전력 구동 패널, RF 전원제어 패널, 진공 및 압력 제어/디스플레이 패널, 가스 유량 제어/디스플레이 패널)

6) 프레임 모듈
- 이동 가능한 캐스터 및 수평 조절 받침대

2. 식각 성능
- 식각 균일도 ≤ 3% @4inch 5pt
- 식각 선택비 (Si to SiO2) ≥ 15

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