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장비정보

제작사
JEOL
모델 명
JSM-IT810SIL

내용연수
10년
구분
주장비

용도
분석
표준 분류
광학·전자 영상장비 > 현미경 > 주사전자현미경

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-07-21

취득금액
485,469,400원
인증정보
없음
기능
○ Image Type
- Secondary Electron image
- Backscattered Electron image
- SE·BSE mixed image
○ Detector
- UID(Upper In-lens Detector)
- SED(Secondary Electron Detector)
- BSED(BackScattered Electron Detector
- LV-BED(Low Vacuum Back-Scattered Electron Detector)
○ Observation Mode
- SIL mode(Semi-In-Lens mode)
- BD mode(Beam-Deceleration mode)
- LDF mode(Large Depth of Focus mode)
○ Additional
- Semi-in-lens type(Magnetic sample analysis not possible)
- LV system included
· LV mode(Low Vacuum mode) Analysis (Pressure range 10 Pa ~ 300 Pa)
- Air Isolated transfer system: Sample can put into the FE-SEM without air exposure
장비 상세설명
이차전지 분야 소재부품의 미세조직 분석을 위해 도입된 장비로, 고 분해능의 성능을 보유하고 있음.
부가기능으로 저진공 모드, 저가속전압 분석모드(BD), 샘플 대기노출방지 기능을 가지고 있어 다양한 이차전지 분야 샘플 분석이 가능함
○ Performance
- FE-Gun type: Shottky type
- Objective lens type: Semi-in-Lens(Magnetic sample analysis not possible)
- Resolution
· 0.6 nm guaranteed @ 15 kV
· 1.0 nm guaranteed @ 1 kV
· 3.0 nm guaranteed @ 15 kV, 5 nA, WD 8 mm
· 1.3 nm @ 15kV
- Mag: (Photo)×25 ~ ×2,000,000 / (Display)×69 ~ ×5,480,000
- Accelerating Voltage
· Landing Voltage 10 V ~ 30 kV
· Stage bias Voltage -100 V ~ 2 kV
- Maximum Probe Current
· 300 nA @ 30 kV
· 100 nA @ 5 kV
- Specimen Stage
· X Axis: ~70mm
· Y Axis: ~50mm
· Z Axis: 1~41mm
· Tilt: -5˚ ~ 70˚
· Rotation: 360˚
- Low Vacuum
· Detector: LVBED
· Pressure Range: 10 Pa ~ 300 Pa
· Orifice Control: Automatic

이용안내

사용형태
기관의뢰

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 100,000원

장비설명

고분해능의 전계방사형 주사전자현미경으로 다양한 소재 및 부품의 미세조직 관찰을 위한 장비
* Semi-in-lens 타입으로 자성 시료는 관찰이 불가능함
SE, BSE Detector를 통한 이미지 관찰과 더불어 BD모드를 통한 저전압 관찰, LV system 활용을 통한 저진공 환경에서의 분석이 가능함

장비 구성 및 성능

○ FE-SEM
- Electron Detector system
- Operation and Observation system
- Chamber & Specimen stage
- Evacuation system
- Air Isolation System
○ Performance
- FE-Gun type: Shottky type
- Objective lens type: Semi-in-Lens
- Resolution
· 0.6 nm guaranteed @ 15 kV
· 1.0 nm guaranteed @ 1 kV
· 3.0 nm guaranteed @ 15 kV, 5 nA, WD 8 mm
· 1.3 nm @ 15kV
- Mag: (Photo)×25 ~ ×2,000,000 / (Display)×69 ~ ×5,480,000
- Accelerating Voltage
· Landing Voltage 10 V ~ 30 kV
· Stage bias Voltage -100 V ~ 2 kV
- Maximum Probe Current
· 300 nA @ 30 kV
· 100 nA @ 5 kV
- Specimen Stage
· X Axis: ~70mm
· Y Axis: ~50mm
· Z Axis: 1~41mm
· Tilt: -5˚ ~ 70˚
· Rotation: 360˚
- Low Vacuum
· Detector: LVBED
· Pressure Range: 10 Pa ~ 300 Pa
· Orifice Control: Automatic

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