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제작사
(주)엘에이티
모델 명
300mm Size ICP-RIE system

내용연수
5년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공·시험장비 > 재료물성시험장비 > 달리 분류되지 않는 재료물성시험장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2024-12-24

취득금액
341,886,400원
인증정보
없음
기능
해당 장비는 300 mm 웨이퍼 기반 첨단 반도체 공정 환경을 모사할 수 있는 반응 이온 식각 장비로, 최대 직경 570 mm 크기의 소재 및 부품에서 발생하는 오염입자를 실시간(수 초단위)으로 분석할 수 있는 장비임
장비 상세설명
해당 장비는 제어부, 공정 챔버, 진공 펌핑 시스템, 가스 주입 모듈로 구성되어 있으며, 소재 및 부품의 오염입자의 정량적 평가를 위한 과정은 다음과 같음
1. 샘플 및 시료를 공정 챔버 중심에 고정
2. 진공 펌핑 시스템으로 진공 환경을 조성하고 불필요한 가스를 제거
3. 공정 가스 주입 모듈 및 제어부를 이용하여 식각 공정 수행
4. 분석 장비 및 오염입자 측정 센서를 활용하여 실시간 분석

해당 장비는 반응 이온 식각 장비를 활용하여 웨이퍼 불량의 대다수를 차지하고 있는 파티클성 오염입자의 실시간 분석이 가능한 장비로서, 첨단 반도체 공정 환경에서 사용되는 소재 및 부품의 내파티클 특성, 내구성, 신뢰성등을 정량적 평가가 가능한 장비임.

- Size: 300 mm 소재·부품 호환
- TMP speed: 2,500 l/s
- Center/edge 온도편차: 5 ℃
- ICP & bias power :3 kW
- Operating pressure: > 10-6 Torr

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