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장비정보

제작사
RAITH
모델 명
E-Beam Lithography System

내용연수
9년
구분
주장비

용도
계측
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 리소그래픽장비

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-10-30

취득금액
1,291,504,285원
인증정보
없음
기능
전자빔 리소그래피(Electron Beam Lithography, EBL)는 전자빔을 시료 표면에 직접 조사하여 마스크 없이 패턴을 형성하는 장비이다.
장비 상세설명
전자빔 리소그래피(Electron Beam Lithography, EBL)는 전자빔을 시료 표면에 직접 조사하여 마스크 없이 패턴을 형성하는 장비이다.
전자빔 감광제가 코팅된 시료 표면에 전자빔을 조사하면, 감광제를 구성하는 고분자가 결합되거나 절단되어 원하는 패턴이 만들어집니다. 사용하는 ER 및 시료에 따라 상이하나, 최소 선폭 수십nm~수백nm 수준의 고해상도 패턴 구현이 가능하여, 첨단 반도체 및 다양한 분야의 연구에 활용될 수 있습니다.

이용안내

사용형태
직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 180,000원

장비설명

전자빔을 통해 금속 박막을 증착하는 장비로 전자빔 감광제가 코팅된 시료 표면에 전자빔을 조사하면, 감광제를 구성하는 고분자가 결합되거나 절단되어 원하는 패턴이 만들어집니다. 사용하는 ER 및 시료에 따라 상이하나, 최소 선폭 수십nm~수백nm 수준의 고해상도 패턴 구현이 가능하여, 첨단 반도체 및 다양한 분야의 연구에 활용될 수 있습니다.

장비 구성 및 성능

- 빔 에너지 : 30kV
- 빔 전류 : 5pA ~ 30nA
- 빔 사이즈 =< 20kV에빔 에너지: ~30 kV
빔 전류: 5 pA ~ 30 nA
빔 사이즈 =< 20 kV 에서 1.6 nm 직경
픽셀 주파수: 0.125 Hz – 20 MHz
이동 범위: X, Y 방향으로 각각 100 mm
스테이지 포지셔닝 해상도: 1 nm
고정 빔 / 스테이지 이동 및 노출 방식
필드 스티칭 에러 및 오버레이 정확도: 40nm 혹은 그 이하
최소 선폭: 10 nm
(위 성능 지표는 ER, 시료 및 patterning 방법에 따라 크게 상이할 수 있음)서 1.6nm 직경
- 픽셀 주파수 : 0.125Hz - 20 MHz
- 이동 범위 : X,Y방향으로 각각100mm
- 스테이지 포지셔닝 해상도 : 1nm
- 고정 빔 / 스테이지 이동 및 노출방식
- 필드 스티칭 에러 및 오버레이 정확도 : 40nm
- 최소 선폴 : 10nm

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