- 장비의 구성
1. Scanning Electron Microscpe
1) Magnification : x20 ~ x300,000
2) Detector (SE,BSE)
3) Accelerating Voltage : 0.5~30 kV
4) Electron Gun (Tungsten filament)
5)Lens System (2Condenser, Conical Objective lens)
6)Objective Aperture (Hole size : 200 µm, 100 µm, 50 µm, 30 µm)
7) Image Shift (WD=10 mm, +/-20um )
8) Stage (X (50mm), Y (50mm), T (-20~45°), Z (4 to 50), R (360°)
9) Scanning Mode (Live scan, Photo scan)
10)image Format (BMP, JPEG, TIFF, PNG)
11)Display (2560 x 1440(QHD) / 24“)
12) Convenient Function
13) Working Distance (WD 4 mm ~ 50 mm)
14)Vacuum System (rotary pump, Turbo Molecular Pump)
15)Control System (Keyboard, Mouse, Win 10)
16) S/W Measuring Functions
17) Spare Parts
2. EDS

- 장비의 성능
본 제품은 테이블탑 방식으로 활용도가 높은 주사전자현미경(SEM) 시스템임. SE 검출기를 기본 내장을 하며, BSE 검출기와 EDS으로 옵션으로 추가함. 이를 통해 최대 300K 배율과 3nm 수준의 분해능을 제공함
또한 반도체 소자 및 리소그래피 패턴을 가진 샘플의 표면 분석 및 계산을 통하여 개발제품의 물성 데이터 확보가 가능하며 반도체 공정 조건에 따른 구조 특성 변화 및 정밀 구조 분석을 통해 고성능 반도체 소자 및 회로 제작을 지원함