Keithley / Keysight

없음

해당 장비는 전류-전압(I-V) 및 캐패시턴스-전압(C-V) 특성을 고정밀도로 측정할 수 있는 장비입니다. ±210 V/100 mA 또는 ±210 V/1 A의 전압과 전류를 소스로 제공하며, 최소 10 aA까지의 전류를 측정할 수 있는 고감도 기능을 갖추고 있습니다. 1 kHz에서 10 MHz까지의 주파수 범위에서 AC 임피던스 및 C-V 특성을 분석하며, ±30 V 내장 DC 바이어스를 제공하고 ±210 V까지 확장 가능합니다. 초고속 펄스 신호를 ±40 V, ±800 mA로 생성하고 200 MS/s 속도로 샘플링할 수 있으며, 다단계 펄스 파형 생성을 지원합니다.

스위칭 모듈을 통해 I-V와 C-V 측정 간 간단히 전환할 수 있으며, 원격 프리앰프를 통해 신호 왜곡을 최소화합니다. 외부 모니터와 다양한 I/O 포트를 지원해 데이터 관리가 용이하며, 작동 온도와 습도 범위가 넓어 다양한 환경에서 안정적으로 사용할 수 있습니다. 이러한 기능을 통해 반도체 디바이스의 전기적 특성을 다각적으로 분석하고, 설계 및 품질 평가에 필수적인 데이터를 제공합니다.

반도체 특성 분석기는 디바이스의 전기적 특성을 정밀하게 측정하여 설계, 제조, 품질 평가에 필요한 데이터를 제공합니다. 주요 역할은 전류-전압(I-V), 캐패시턴스-전압(C-V), AC 임피던스, 초고속 펄스 신호 등 다양한 측정을 통해 반도체 개발 및 테스트 과정을 지원하는 것입니다.

1. 주요 성능
1) I-V 측정: ±210 V/100 mA 또는 ±210 V/1 A 범위의 전류와 전압을 정밀하게 측정하며, 최소 10 aA까지의 초고감도 측정 가능.
2) C-V 측정: 1 kHz ~ 10 MHz 주파수에서 C-V, C-f, C-t 특성을 분석하며, ±30 V 내장 DC 바이어스와 ±210 V까지 확장 가능.
3) 펄스 I-V 측정: ±40 V (80 Vp-p), ±800 mA의 초고속 펄스 생성 및 200 MS/s 샘플링 속도로 파형 캡처.
4) 고전압 펄스 생성: 10 ns 해상도의 다단계 펄스 파형 생성 가능.
5) 멀티 스위치: I-V와 C-V 측정을 손쉽게 전환하며, 프로브 바늘을 들지 않고 측정 위치 이동 가능.
6) 원격 프리앰프: 케이블 용량 효과를 줄이고 초저 전류 신호 측정 정밀도를 향상.

2. 추가 기능
1) 15.6인치 FHD 터치 디스플레이 및 외부 VGA, HDMI, USB 등 다양한 포트 지원.
2) 작동 환경: 온도 +10°C ~ +40°C, 습도 5% ~ 80% 비응결.
3) EMC 및 전기 안전 규정 준수(유럽 및 북미 인증).