마이다스시스템(주)

없음

마스크&웨이퍼 정렬 (alignment) 및 노광 (exposure)을 통해 웨이퍼에 미세 패턴 전사

- 본 장비는 마스크 정렬(alignment) 및 자외선 노광(exposure)을 통해 소자의 미세 패턴을 감광막(Photoresist, PR) 층에 전사하는 포토리소그래피(Photo Lithography) 공정 장비로서, 준자동(Semi-auto) 마스크 얼라이너에 해당함
- 350~450nm 영역의 자외선(UV) 및 가시광선을 이용하여 감광막을 선택적으로 반응시킴으로써, 웨이퍼(Wafer) 및 다양한 기판(Substrate) 위에 원하는 패턴을 형성하는 것을 목적으로 함
- 정밀한 마스크-웨이퍼 정렬 기능과 안정적인 광원 제어 기능을 통해 반도체 소자 제작 교육 및 연구 실습에 최적화되어 있으며, 학생들이 포토리소그래피 공정을 직접 체험할 수 있도록 지원함