INSIDIX
TDM compact 3
9년
주장비
시험
광학·전자 영상장비 > 카메라/영상처리장비 > 달리 분류되지 않는 카메라/영상처리장비
공동활용서비스
2024-12-27
667,577,750원
없음
- Warpage 측정: 반도체 패키지, 웨이퍼, 기판의 변형 상태를 실시간으로 측정.
- Multi-Temperature 측정: -55°C ~ 400°C 온도 조건에서 열적 거동 및 Warpage 평가.
- 비접촉 광학 측정: 비접촉 방식으로 샘플 손상 없이 데이터를 수집.
- 3D 표면 데이터 생성: 표면 형상을 3D 데이터로 재구성하여 시각적 분석 지원.
- 정밀 고속 데이터 수집: 고해상도 카메라와 레이저 기술로 고속 및 정밀 데이터 제공.
<장비의 역할>
- 패키지 신뢰성 검증: 다양한 온도 조건에서 반도체 패키지의 물리적 안정성 평가.
- 신소재 연구 지원: 신소재 특성화 및 공정 개선에 필요한 데이터를 제공.
- 생산 공정 최적화: 제조 공정 중 발생하는 Warpage를 분석하여 공정 개선에 활용.
<장비의 성능>
- 정밀 측정: 마이크로미터 수준의 변형까지 측정 가능한 고정밀 장비.
- 넓은 온도 범위: -65°C ~ 400°C 조건에서 안정적으로 작동.
기관의뢰
고정형
시간별
[Hr] 150,000원
Insidix TDM 3.0 Compact는 반도체 패키지, 웨이퍼, 기판 등의 열적 및 기계적 변형을 정밀하게 측정하는 장비임. 이 장비는 비접촉 광학 기술을 사용하여 샘플에 손상을 주지 않고 데이터를 수집하며, -65°C ~ 400°C의 넓은 온도 범위에서 안정적으로 작동함. 자동화된 데이터 분석과 3D 표면 형상 재구성 기능을 통해 연구 및 생산 환경에서 사용자의 작업 효율성을 높이는 데 기여함. 다양한 크기와 형태의 샘플을 지원하여 반도체 및 전자 부품의 신뢰성 평가와 공정 최적화에 활용됨.
<장비 구성>
- 광학 모듈: 고해상도 카메라 및 레이저 기반 센서로 정밀한 측정 지원.
- 온도 조절 모듈: -65°C ~ 400°C의 온도 범위에서 열적 거동 측정 가능.
- 데이터 분석 소프트웨어: 자동화된 데이터 처리 및 3D 재구성 기능 제공.
- 샘플 고정 장치: 다양한 크기와 형상의 샘플을 안정적으로 고정.
- 열 제어 시스템: 온도 변화에 따른 샘플의 특성 변화를 안정적으로 구현.
<장비 성능>
- Available Sample Size : 0.8mm ~ 300mm(12inch Wafer)
- Heating Control Range : -65℃~400℃
- Temperature Uniformity : 12inch Wafer 면적 기준 2.5℃
- FOV : 10 ~ 300
- Pixel Size : 3.3um at FOV10
- 특이사항 : CTE 측정 가능, Camera 자동 변경 가능