Thermo Fisher Sientific
Helios 5 PFIB CXe
10년
주장비
분석
광학·전자 영상장비 > 현미경 > 주사전자현미경
공동활용서비스
2024-12-30
1,875,552,020원
없음
1. 플라즈마 기반의 이온빔 및 전자빔을 사용하여 반도체 소재부품의 내부 형상을 대면적 정밀 이미징 가능.
2. 단면 분석시 고속 밀링을 통한 반도체 구조 최적화, 불량 원인 분석, 미세 가공 등 가능.
3. 투과전자현미경 시료 제작과 대면적의 밀링을 통한 3차원 이미지 재구성 가능.
1. 집속된 이온빔을 활용하여 소재 및 부품의 단면 절단 및 초미세가공이 가능하며 고해상도 전자빔을 활용한 나노미터 미만에서의 이미징이 가능함.
2. 반도체의 분석시 층 제거, 고해상도 이미징, 단면시편제작, 효율적 경로탐색, 회로설계의 미세수정 등의 기능을 포함함.
3. 반도체 등 소재 및 부품의 불량원인 분석시 요구되는 대면적 작업면적과 이미지 해상도를 충족함.
4. 제논 플라즈마 집속 이온빔 컬럼을 이용하여 3차원 특성 분석이 가능하며 기존 갈륨대비 50배 이상 높은 효율로 가공 가능.
5. 갈륨이 없는 대면적 가공을 통해 투과전자현미경 분석시 불순물 관찰 및 측정에러를 줄여줌.
기관의뢰
고정형
시간별
[Hr] 200,000원
1. 플라즈마 집속 이온빔 주사전자현미경은 전자빔을 이용한 고해상도 이미징과 플라즈마 기반의 대면적 정밀 가공 및 단면분석이 가능한 장비로 반도체 구조 최적화, 불량 원인 분석, 미세 가공, 3차원 이미지 재구성 등이 가능함.
2. 본 장비는 증착 표면의 분석, 보호층의 가공, 소재 및 소자 단면 분석, 고품질 투과전자현미경 시편 제작 등을 지원할 수 있으며 소재 부품 장비 전반에 있어 범용적인 분석이 가능함.
3. 차세대 제논 플라즈마 집속 이온빔 컬럼은 대면적, 고품질의 3차원 특성 분석이 가능하며, 단면 절단 및 미세가공을 통해 기존 이온빔 대비 50배 이상 높은 효율로 가공이 가능함.
4. 갈륨 미사용으로 투과전자현미경 시편을 불순물 없이 고정밀 제공이 가능한 장비임.
5. 반도체뿐만 아니라 분석하고자 하는 소재 및 부품의 대면적 단면촬영이 가능하여 내부구조분석에 최적화.
1. Dual Beam PFIB System Specification
1) Electron optics
(1) High stability Schottky thermal field emitter type
(2) Electron Beam Resolution - 0.6 nm at 15 keV
(3) Electron Beam Energy : 500 eV to 30 KeV
2) Ion optics
(1) Ion Source : Xenon (Xe) ion plasma
(2) Gas Injection System
3) Vacuum System
(1) Chamber vacuum: <2.6×10-6 mbar or better
(2) Evacuation time: <5 minutes
4) Specimen Stage
(1) Flexible 5 axis motorized stage : eucentric stage
(2) X, Y range : 110 mm
(3) Z : 65 mm
(4) Tilt : -40° to +65°
5) Detectors
(1) E-T Detector In-lens SE/BSE detector In-Coulmn SE/BSE detector
6) Scanning System
(1) Resolution : Up to 6144 x 4096
7) Embedded S/W controlled sample lift out manipulator system and rotation
8) Operation hardware
(1) Workstation PC with Windows 10 OS
(2) 24“ Full HD Monitor
9) IGST Solution Holder (Inert Gas Sample Transfer Holder)
10) Operation Software
11) Accessories
(1) Energy Dispersive X-ray Spectroscopy System (EDS):