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장비정보

제작사
대기하이텍
모델 명
DKSPT-03-02D

내용연수
12년
구분
주장비

용도
시험
표준 분류
기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터

장비활용범위
공동활용서비스
취득일
2025-02-03

취득금액
164,125,600원
인증정보
없음
기능
- Process Chamber 2 set, 직경 370 x 높이 350 (mm)
- Substrate: 6 Inch Wafer
- Power :RF Power supply 1 set, DC power supply 1 set
- Target : 4“ Dia magnetron sputter gun 4 ea, (RF 2 ea, DC 2 ea)
- Shutter unit : 6 unit
장비 상세설명
-본 장비는 DC/RF 혼합 스퍼터링 장비로, Dual chamber로 구성되어 금속과 그 외의 물질(산화물)을 각각 분리하여 증착 가능함.
-본 장비는 진공상태에서 Co-Sputter System을 이용한 메탈, 산화물등 다양한 박막을 만들기 위한 장치임
-단시간 내 고진공 조건에서 균일한 박막 증착과 정밀한 두께 제어 (nm 단위의 두께 제어)가 가능하여 고 융점 금속, 합금 및 화합물의 반복적 인 박막형성에 유리한 특성을 가지고 있다.

이용안내

사용형태
직접사용

설치형태
고정형
사용료 형태
시간별

장비 사용료
[Hr] 38,000원

장비설명

-반도체 제조 공정 중 박막 증착을 위한 진공증착장비로, 금속 및 그 외의 물질(산화물) 증착 용도.
-본 장비는 DC/RF 혼합 스퍼터링 장비로, Dual chamber로 구성되어 금속과 그 외의 물질(산화물)을 각각 분리하여 증착 가능함.
-본 장비는 진공상태에서 Co-Sputter System을 이용한 메탈, 산화물등 다양한 박막을 만들기 위한 장치임
-단시간 내 고진공 조건에서 균일한 박막 증착과 정밀한 두께 제어 (nm 단위의 두께 제어)가 가능하여 고 융점 금속, 합금 및 화합물의 반복적 인 박막형성에 유리한 특성을 가지고 있다.

장비 구성 및 성능

[구성]
- Process Chamber 2 set, 직경 370 x 높이 350 (mm)
- Substrate: 6 Inch Wafer
- Power :RF Power supply 1 set, DC power supply 1 set
- Target : 4“ Dia magnetron sputter gun 4 ea, (RF 2 ea, DC 2 ea)
- Shutter unit : 6 unit

[성능]
- Vacuum Pressure : 1 x 10-7 Torr
- Deposition Uniformity : ± 1.5% in 6 inch wafer
- Working Pressure : 1~50 mTorr

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