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없음

- Showerhead-type reactor: 200 mm의 대면적 구조에서 균일한 유기금속 전구체 주입이 가능하며, 서로 다른 전구체 사이의 불필요한 반응을 최소화할 수 있음.
-Induction-type susceptor: 여러 웨이퍼에서의 균일하고 신속한 열 제어가 가능함.
-Run-vent manifold system: flow & pressure controller 및 switching system으로 구성되어 flow의 미세 조정이 가능함.
-Pre-heater: 저온에서 cracking 효율이 낮은 전구체를 활성 상태로 만들어 저온에서의 2D 소재 합성을 촉진함.

1. Reactor part: Shower head/ Induction type susceptor
-수직형 chamber 상단에 shower head가 위치하는 cold wall 및 susceptor induction heating 구성됨.
-기판에 효과적으로 도달하는 전구체의 양이 많아져 높은 합성 속도를 가짐.
-Induction type의 susceptor heater를 통해 웨이퍼 수준의 우수한 열 균일성을 확보 가능하며, 미세한 온도 조절이 가능함.

​2. Gas delivery: Run-vent manifold system
-Input gas의 flow를 일정하게 유지하면서 필요한 순간 chamber 내부로 흘려보내는 방식임.
-Gas valve의 on/off 과정에서 발생할 수 있는 pressure fluctuation을 억제할 수 있으며 높은 정밀도로 flow rate를 통제할 수 있음.
-Pulse-mode 방식 등의 다양한 gas flow 방식을 적용 가능함.
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3. Pre-heater
-기존 2D 소재는 우수한 성능에도 불구하고 높은 합성온도(> 700 ℃)를 가져 반도체 공정에 활용되는 데 있어 한계점을 가졌음.
-외부에 위치한 pre-heater에서 precursor의 선 cracking 후 chamber 내부에서 소재의 직접적인 합성이 이루어진다면 비교적 저온(<500 °C)에서의 2D 소재 합성 가능성이 존재함.